本發(fā)明公開了一種高溫環(huán)境下密封電路模塊間歇性密封失效分析方法,將電路模塊和稀有氣體封裝入腔體工裝中,并對封裝好的腔體工裝進(jìn)行加熱存貯或功率老煉實(shí)驗(yàn),對實(shí)驗(yàn)后的電路模塊進(jìn)行水汽檢測,判斷電路模塊是否存在高溫間歇性密封失效,能夠?qū)γ芊怆娐纺K是否因存在密封不良而導(dǎo)致的內(nèi)外氣體交換進(jìn)行定性分析,針對不合格的電路模塊進(jìn)行定位分析,將存在高溫間歇性密封失效的電路模塊的外殼切割成兩部分,一部分在空氣氣氛中進(jìn)行加熱存貯,另一部分不做處理,將電路模塊外殼上的引腳和絕緣子取出,對電路模塊外殼上與絕緣子接觸的部位進(jìn)行分析,找出具體的密封不良的失效部位,以便對該失效部位的具體原因進(jìn)行分析,并將結(jié)果反饋生產(chǎn)廠家。
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“高溫環(huán)境下密封電路模塊間歇性密封失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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