本發(fā)明公開了一種晶圓失效的分析方法及系統(tǒng),所述晶圓失效的分析方法包括:分析
芯片良率數(shù)據,獲取所述晶圓的失效區(qū)域;分析每個所述晶圓上所述失效區(qū)域的失效情況,獲取每個所述晶圓的晶圓區(qū)域良率;實現(xiàn)所述芯片良率數(shù)據、所述線上測試數(shù)據和所述電性測試數(shù)據坐標的統(tǒng)一;在坐標統(tǒng)一的情況下獲得選定區(qū)域中每個失效區(qū)塊的權重;根據所述權重獲取每個所述線上測試數(shù)據和所述電性測試數(shù)據的區(qū)域測量值;將所述區(qū)域測量值與所述晶圓區(qū)域良率做相關性分析,獲取所述晶圓的所述失效區(qū)塊的影響因素。通過本發(fā)明提供的一種晶圓失效的分析方法及系統(tǒng),可提高分析結果的準確性。
聲明:
“晶圓失效的分析方法及系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)