本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體器件的失效分析方法,其包括步驟:去除半導(dǎo)體器件背面的銅層;對半導(dǎo)體器件背面的硅層進行減??;及使用微光顯微鏡(Emission?Microscope,EMMI)和/或鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試(OBIRCH)電性定位設(shè)備定位半導(dǎo)體器件背面的失效點。本發(fā)明半導(dǎo)體器件的失效分析方法通過通過對半導(dǎo)體器件的背面進行除銅、硅層減薄及失效點定位,節(jié)約了時間,提高了效率及成功率。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)