本發(fā)明提供了一種半導體器件失效分析方法,包括如下步驟:暴露出半導體器件的測試區(qū)域,所述測試區(qū)域包括多個測試點;選擇多個所述測試點中的至少一個所述測試點作為輸入端;形成與所述輸入端電性連接的輸入結構;在所述輸入結構上施加測試信號;使用電性測試探針掃描測試除施加了測試信號的所述輸入端之外的其他所述測試點。本發(fā)明通過引入一種新的半導體器件失效分析方法,在使用導電原子力顯微鏡等電性探針測試方法對半導體器件進行測試分析時,形成與測試點電性連接的輸入結構,通過輸入結構準確地對測試點施加偏壓,并通過多個輸入結構有效地縮減了失效分析所需的人力和時間成本。
聲明:
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