本發(fā)明公開了一種IGBT模塊早期失效檢測(cè)方法,包括:對(duì)IGBT模塊進(jìn)行高溫阻斷檢測(cè),如果不滿足第一條件,則判定為早期失效,其中,所述第一條件是指:10~50分鐘的檢測(cè)時(shí)間內(nèi),IGBT模塊的阻斷漏電流小于100mA,變化率小于100%。由于檢測(cè)的時(shí)間只有10~50分鐘,檢測(cè)周期大大縮短,所以在生產(chǎn)過程中可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有的IGBT模塊進(jìn)行檢測(cè),同時(shí),檢測(cè)過的IGBT模塊可以繼續(xù)使用,進(jìn)而大大降低了成本。
聲明:
“IGBT模塊早期失效檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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