本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體器件中失效點(diǎn)的定位方法,涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件中失效點(diǎn)的定位方法包括確定半導(dǎo)體器件中發(fā)生橋接的兩個(gè)膜層,兩個(gè)膜層的材料相同;在第一膜層的起始端與第二膜層之間加第一電壓,在第一膜層的末端與第二膜層之間加第二電壓;獲取第一膜層的起始端與第二膜層之間的電流,記為第一電流,以及,獲取第一膜層的末端與第二膜層之間的電流,記為第二電流;根據(jù)第一膜層的長(zhǎng)度、薄膜電阻率、第一電壓、第一電流、第二電壓、第二電流,確定第一膜層中失效點(diǎn)的位置;解決了目前失效分析中不能通過(guò)FIB機(jī)臺(tái)做VC方法定位出失效點(diǎn)的問(wèn)題;達(dá)到了簡(jiǎn)便有效地定位失效點(diǎn)的效果。
聲明:
“半導(dǎo)體器件中失效點(diǎn)的定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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