本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N硅通孔的測試結(jié)構(gòu)及測試方法,所述測試結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底;至少一種參考測試單元,位于所述半導(dǎo)體襯底中,用于輸出測試數(shù)據(jù),包括參考測試溝槽電容組以及硅通孔結(jié)構(gòu),其中所述參考測試溝槽電容組環(huán)繞所述硅通孔結(jié)構(gòu)分布;基準(zhǔn)測試單元,位于所述半導(dǎo)體襯底中,用于輸出基準(zhǔn)數(shù)據(jù),包括基準(zhǔn)測試溝槽電容組,所述基準(zhǔn)測試溝槽電容組與所述參考測試溝槽電容組的結(jié)構(gòu)相同。所述測試結(jié)構(gòu)及測試方法可以監(jiān)測TSV制備中對(duì)介電層產(chǎn)生的工藝影響,通過測試襯底和TSV間的電阻、電容和漏電流大小,來推算TSV隔離層的電性厚度及隔絕能力等性能,有助于制程出現(xiàn)問題時(shí)的輔助失效分析。
聲明:
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