本實用新型涉及狀態(tài)監(jiān)測技術領域,公開了一種SiC MOSFET監(jiān)測電路,包括采樣模塊,用于采集所述SiC MOSFET柵極的電信號;分析模塊,與所述采樣模塊連接,用于將所述電信號與預設閾值進行比較,并根據(jù)比較結果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET監(jiān)測電路通過采樣電路對所述SiC MOSFET的柵極電信號進行檢測采集處理,并將采集到的電信號與預設閾值進行比較,根據(jù)比較結果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。將本實用新型提供的所述SiC MOSFET監(jiān)測電路應用在包含有SiC MOSFET器件的電路或系統(tǒng)中時,可以在不中斷系統(tǒng)工作狀態(tài)的情況下實現(xiàn)對所述SiC MOSFET器件狀態(tài)的監(jiān)測和老化失效預警,監(jiān)測過程對系統(tǒng)正常工作的干擾小,且預測精度高。
聲明:
“SiC MOSFET監(jiān)測電路” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)