本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路的測(cè)試系統(tǒng)和半導(dǎo)體電路的測(cè)試方法,通過將信號(hào)發(fā)生設(shè)備與待測(cè)半導(dǎo)體電路的第一類輸入引腳連接,且將檢測(cè)控制設(shè)備與待測(cè)半導(dǎo)體電路的第一類輸出引腳連接,對(duì)待測(cè)半導(dǎo)體電路進(jìn)行IO端口測(cè)試;在待測(cè)半導(dǎo)體電路的IO測(cè)試數(shù)據(jù)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件之后,將信號(hào)發(fā)生設(shè)備與待測(cè)半導(dǎo)體電路的第二類輸入引腳,檢測(cè)控制設(shè)備與待測(cè)半導(dǎo)體電路的第二類輸出引腳連接,對(duì)待測(cè)半導(dǎo)體電路的功能測(cè)試。通過先進(jìn)行IO端口測(cè)試,即采用小電流、低電壓測(cè)試初步篩選出異常樣品,并保留樣品失效原始形貌;再進(jìn)行功能端口測(cè)試,即采用大電流、高電壓測(cè)試半導(dǎo)體電路,從而能夠避免功能測(cè)試時(shí)將異常樣品二次破壞,防止功能測(cè)試過程損壞后的無法攔截。
聲明:
“半導(dǎo)體電路的測(cè)試系統(tǒng)和半導(dǎo)體電路的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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