一種測(cè)量半導(dǎo)體器件歐姆接觸退化
芯片及方法屬于半導(dǎo)體技術(shù),特別是半導(dǎo)體器件失效評(píng)估領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種專(zhuān)門(mén)測(cè)量歐姆接觸退化的芯片,其特征在于:在至少有6個(gè)圓環(huán)電極的CTLM歐姆接觸測(cè)試芯片的圓環(huán)形歐姆接觸表面淀積有SiO2絕緣介質(zhì)層,在CTLM歐姆接觸測(cè)試芯片的另一面有利用金屬鍍膜工藝制備的背電極,然后在每個(gè)圓環(huán)電極上固接出一個(gè)外引電極;每個(gè)圓環(huán)電極和外引電極的固接點(diǎn)都在一條直線(xiàn)上。本發(fā)明測(cè)量芯片和方法不但可以測(cè)量半導(dǎo)體芯片歐姆接觸電阻率隨施加電流的變化關(guān)系以及隨施加電流時(shí)間的關(guān)系,同時(shí)測(cè)量芯片可以滿(mǎn)足大電流沖擊要求。因此,使用本發(fā)明芯片和方法能更為準(zhǔn)確有效的評(píng)估歐姆接觸。
聲明:
“測(cè)量半導(dǎo)體器件歐姆接觸退化芯片及方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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