本發(fā)明公開了一種
芯片靜電損傷的定位方法及裝置,該方法包括:對于芯片的失效樣品,采用鎖相缺陷定位熱發(fā)射顯微鏡對失效樣品中的缺陷位置進(jìn)行定位評估,以得到失效樣品的初始失效點;調(diào)節(jié)鎖相缺陷定位熱發(fā)射顯微鏡的定位參數(shù)后,再次采用鎖相缺陷定位熱發(fā)射顯微鏡對失效樣品中的缺陷位置進(jìn)行定位評估,以得到失效樣品的新增失效點;采用掃描電子顯微鏡,對初始失效點和新增失效點的特征信息進(jìn)行分析,以將初始失效點和新增失效點中特征信息與設(shè)定的靜電損傷信息相同的部分失效點,確定為樣品的靜電損傷點。本發(fā)明的方案,可以解決芯片損傷位置的定位難度較大影響芯片的可靠性的問題,達(dá)到減小芯片損傷位置的定位難度以提升芯片的可靠性的效果。
聲明:
“芯片靜電損傷的定位方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)