本發(fā)明涉及電子元器件失效分析技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種電子元器件瑕疵定位方法及存儲(chǔ)介質(zhì)，包括通過第一成像技術(shù)獲取電子元器件的第一瑕疵圖像；根據(jù)第一瑕疵圖像在瑕疵點(diǎn)所在區(qū)域刻蝕出標(biāo)志點(diǎn)；通過第一成像技術(shù)對(duì)瑕疵點(diǎn)所在區(qū)域進(jìn)行成像，獲取電子元器件的第二瑕疵圖像；根據(jù)第二瑕疵圖像獲取瑕疵點(diǎn)與標(biāo)志點(diǎn)間的相對(duì)位置信息；通過第二成像技術(shù)對(duì)標(biāo)志點(diǎn)進(jìn)行成像，獲取標(biāo)志點(diǎn)的位置信息；根據(jù)相對(duì)位置信息以及標(biāo)志點(diǎn)的位置信息確定瑕疵點(diǎn)的位置信息；根據(jù)瑕疵點(diǎn)的位置信息，通過第二成像技術(shù)對(duì)瑕疵點(diǎn)進(jìn)行刻蝕，獲取電子元器件的瑕疵點(diǎn)剖面形貌。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)對(duì)表面具有明顯損傷或表面無損傷形貌的電子元器件內(nèi)部的瑕疵進(jìn)行定位，且定位精度高。