一種與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿可靠性的測試方法,所述測試方法采用高溫恒定電壓應(yīng)力對(duì)集成電路柵氧化層及介質(zhì)層測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行TDDB可靠性測試,測試方法按如下步驟進(jìn)行:搭建測試系統(tǒng),首先將測試結(jié)構(gòu)并聯(lián),然后將試驗(yàn)樣品置于高溫箱中,接著再與外接電阻串聯(lián),最后將外接電阻與測試臺(tái)相連;給測試結(jié)構(gòu)施加高溫和恒定電壓應(yīng)力;測量外接電阻上的電壓,以判斷是否有測試結(jié)構(gòu)失效;當(dāng)有測試結(jié)構(gòu)失效時(shí),將試驗(yàn)樣品從高溫箱中取出,放置于測試臺(tái)上逐個(gè)測量測試結(jié)構(gòu)失效與否;按照此失效判據(jù)記錄每個(gè)樣品的失效時(shí)間,直到達(dá)到總的試驗(yàn)時(shí)間為止。
聲明:
“在高溫恒定電場中與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿試驗(yàn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)