本發(fā)明提供了一種原子力納米探針樣品標(biāo)記方法以及集成電路制造方法。根據(jù)本發(fā)明的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法包括:失效點(diǎn)查找步驟,用于采用聚焦離子束在原子力納米探針樣品內(nèi)找到失效點(diǎn);失效點(diǎn)標(biāo)記步驟,用于在失效點(diǎn)相距不大于特定距離的范圍內(nèi)用聚焦離子束進(jìn)行標(biāo)記;標(biāo)記填充步驟,用于采用聚焦離子束在所述標(biāo)記中填入填充材質(zhì);以及待測(cè)試層研磨步驟,用于采用研磨裝置對(duì)原子力納米探針樣品進(jìn)行研磨,以去除待測(cè)試層之上的所有層的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法使得被標(biāo)記區(qū)域的高度差能被有效控制,從而利于測(cè)試。
聲明:
“原子力納米探針樣品標(biāo)記方法以及集成電路制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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