本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法,用于驗(yàn)證存儲(chǔ)
芯片存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的正確性,它包括以下步驟:1.在待驗(yàn)證的存儲(chǔ)芯片上標(biāo)記待損傷位置;2.采用聚焦離子束在待損傷位置制作損傷凹口;3.采用測(cè)試機(jī)測(cè)試存儲(chǔ)芯片,標(biāo)記測(cè)試機(jī)測(cè)試的存儲(chǔ)單元失效位置;4.去除存儲(chǔ)單元有源層表面的介質(zhì)層和金屬連線層,確定步驟2制作的損傷凹口的存儲(chǔ)單元位置;5.比對(duì)步驟3測(cè)得的存儲(chǔ)單元失效位置與步驟4確定的損傷凹口的存儲(chǔ)單元位置進(jìn)行存儲(chǔ)單元組合驗(yàn)證。本發(fā)明存儲(chǔ)單元組合的驗(yàn)證方法通過采用聚焦離子束制作損傷凹口和去除存儲(chǔ)單元有源層表面介質(zhì)層和金屬連線層可有效解決傳統(tǒng)驗(yàn)證方法存在的存儲(chǔ)芯片易整體失效和精確性低的問題。
聲明:
“存儲(chǔ)單元組合規(guī)律的驗(yàn)證方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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