本發(fā)明提供一種減少熔絲尖刺的修調(diào)結(jié)構(gòu),包括半導(dǎo)體襯底;介質(zhì)層;形成于介質(zhì)層上的修調(diào)熔絲具有一修調(diào)電阻、兩探針接觸墊及分別用于連接修調(diào)電阻和探針接觸墊的過渡區(qū),過渡區(qū)中具有減少修調(diào)電阻熔絲尖刺的修調(diào)刻開區(qū);形成在修調(diào)熔絲和介質(zhì)層上的鈍化層中分別具有修調(diào)刻開區(qū)處的釋放窗口、修調(diào)電阻處和探針接觸墊處的壓點窗口。本發(fā)明還提供減少熔絲尖刺的修調(diào)結(jié)構(gòu)的制造方法,利用金屬的電遷移特性,使修調(diào)刻開區(qū)可以改善電遷移和溫度引起的熔絲尖刺異?,F(xiàn)象,并由此減少后道工藝水汽、聚合物殘留,解決由此熔絲尖刺導(dǎo)致的封裝失效,機械應(yīng)力問題,減少成品測試和使用中
芯片功能失效和封裝等可靠性風(fēng)險。
聲明:
“減少熔絲尖刺的修調(diào)結(jié)構(gòu)及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)