一種半導體缺陷剔除方法。本發(fā)明涉及半導體加工領域,尤其涉及一種半導體缺陷剔除方法。提供了一種利用半導體溫度敏感特性,抓住缺陷部位和其它部位的載流子濃度對溫度敏感程度存在較大差異的特點,可靠剔除微缺陷器件的半導體缺陷剔除方法。本發(fā)明在工作中,先對半導體施加正向電流,提升半導體結溫;結溫提升的情況下對半導體施加反向浪涌,可有效剔除常溫下無法測試出的帶有缺陷的半導體器件,可有效降低半導體失效率,提升半導體器件可靠性。
聲明:
“半導體缺陷剔除方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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