一種溝渠雙擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體制作方法及裝置,包括如下步驟:摻雜;注膠和研磨;刻蝕;清洗;熱處理;濺射。經(jīng)過在背面的處理工藝,采用熱處理過程后,通過對晶圓片探測數(shù)據(jù),有效的改善溝渠雙擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體沒有出現(xiàn)源漏(源極和漏極)軟擊穿失效的情況。同時相對應(yīng)所采取的裝置是通過現(xiàn)有的高溫爐就可以實現(xiàn),不需要特別的購買新設(shè)備或?qū)iT的設(shè)備,因此節(jié)省了成本,提高了經(jīng)濟(jì)效益。
聲明:
“溝渠雙擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體制作方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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