本發(fā)明提供了一種倒裝發(fā)光二極管
芯片及其制備方法,涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域,該發(fā)光二極管芯片自下而上依次包括襯底、外延層、電流阻擋層、電流擴(kuò)展層、第一導(dǎo)電金屬層、DBR反射層、第二導(dǎo)電金屬層、絕緣保護(hù)層及鍵合金屬層;其中,所述第一導(dǎo)電金屬層包括第一N型導(dǎo)電金屬與第一P型導(dǎo)電金屬,在單個(gè)所述發(fā)光二極管芯片內(nèi),所述第一N型導(dǎo)電金屬與所述第一P型導(dǎo)電金屬的數(shù)量比為1:2?1:30。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中第一N型導(dǎo)電金屬與第一P型導(dǎo)電金屬間距較大,導(dǎo)致電流擴(kuò)散困難及電流擴(kuò)散不均勻,在較大的雷擊浪涌測試時(shí),大電壓輸入的情況下,電流無法迅速擴(kuò)散,導(dǎo)致芯片燒毀失效的技術(shù)問題。
聲明:
“倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)