該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法,包括以下步驟:提供一襯底;在所述襯底內(nèi)部形成電接觸點(diǎn);在所述襯底上表面形成著陸焊盤,且所述著陸焊盤與所述電接觸點(diǎn)接觸;在所述著陸焊盤和所述電接觸點(diǎn)外露的表面形成阻擋層;在對形成了阻擋層的半導(dǎo)體器件進(jìn)行電性測試之后,去除所述著陸焊盤上表面的阻擋層。本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的形成方法,能夠有效防止電接觸點(diǎn)和電接觸點(diǎn)之間短路而造成半導(dǎo)體器件失效的現(xiàn)象的發(fā)生,提升半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)良率。
聲明:
“半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)