本發(fā)明提供了電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復(fù)方法及裝置,屬于SiC MOSFET的閾值電壓恢復(fù)領(lǐng)域,方法包括:將待恢復(fù)的SiC MOSFET裸
芯片固定,且將待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片的各電極引出;對待恢復(fù)的SiCMOSFET裸芯片進(jìn)行若干次連續(xù)電子輻照;電子輻照后,測量待恢復(fù)的SiCMOSFET閾值電壓,當(dāng)實際閾值電壓與健康閾值電壓相比較,若兩者相等,則停止對待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片的電子輻照;否則,繼續(xù)對待恢復(fù)的SiC MOSFET裸芯片進(jìn)行電子輻照;本發(fā)明實現(xiàn)了失效SiC MOSFET的回收再利用。
聲明:
“電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復(fù)方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)