一種制備高純硅的方法,使原料反應(yīng)生成SIO氣體達(dá)到蒸餾提純的目的。原料可以是各種純度的碳還原劑,二氧化硅可以是二氧化硅礦、廢棄光纖或廢石英。方法按以下幾個(gè)步驟進(jìn)行:(1)原料經(jīng)破碎球磨后,粒度為0.30MM以下;(2)將原料置于真空爐中加熱蒸發(fā)除雜;(3)將原料按比例配好,加熱使物料全部反應(yīng)生成SIO氣體;(4)SIO氣體發(fā)生歧化反應(yīng),生成B、P含量低的高純硅和高純二氧化硅;(5)分離二氧化硅,得到硅;(6)干燥分離后的硅;(7)用真空定向凝固爐進(jìn)一步除雜,切頭處理后即獲得高純硅。制備的硅的純度為99.9999WT%以上,B、P的含量低于0.5PPM,可以滿足
太陽能電池行業(yè)所需硅原料的要求。
聲明:
“高純硅的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)