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      粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置

      482   編輯:中冶有色技術(shù)網(wǎng)   來(lái)源:臨渙焦化股份有限公司  
      2024-03-14 13:24:43
      權(quán)利要求書: 1.一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:包括主控芯片模塊和可控硅模塊,主控芯片模塊的信號(hào)輸出端設(shè)置有電壓同步檢測(cè)模塊,可控硅模塊兩端設(shè)置有旁路接觸器,可控硅模塊信號(hào)輸出端設(shè)置有電流互感器,設(shè)置有電動(dòng)機(jī)連接在可控硅模塊的另一個(gè)信號(hào)輸出端,電流互感器與主控芯片模塊的信號(hào)輸入端相連接,在主控芯片模塊與可控硅模塊信號(hào)傳輸線路中設(shè)置有控制模塊;設(shè)置有控制器與主控芯片模塊連接,且主控芯片模塊與控制器進(jìn)行雙向的信息傳遞,控制器的輸入端設(shè)置有輸入設(shè)備連接,控制器的輸出端設(shè)置有顯示器連接。

      2.按照權(quán)利要求1所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述可控硅模塊包括單向可控硅、控制芯片、三態(tài)緩沖器、隔離信號(hào)的光電耦合器件、反向緩沖器和脈沖變壓器。

      3.按照權(quán)利要求1所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述電壓同步檢測(cè)模塊包括用于所述可控硅調(diào)速的三相電壓同步電路模塊、過(guò)零檢測(cè)電路模塊、調(diào)整信號(hào)的方波比較模塊和檢測(cè)相序錯(cuò)誤的相序檢測(cè)模塊。

      4.按照權(quán)利要求1所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述旁路接觸器跨接在所述可控硅模塊的兩端,旁路接觸器有直接啟動(dòng)和軟啟動(dòng)兩種啟動(dòng)方式。

      5.按照權(quán)利要求1所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述主控芯片模塊中的主控芯片型號(hào)是STM32F103C8T6。

      6.按照權(quán)利要求1所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述控制器中的單片機(jī)型號(hào)是AT89C51。

      7.按照權(quán)利要求1所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述電流互感器的信號(hào)輸出端還串聯(lián)有一個(gè)整流電路。

      8.按照權(quán)利要求7所述的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,其特征在于:所述整流電路是在電路中串聯(lián)一個(gè)單向?qū)щ姷亩O管。

      說(shuō)明書: 一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本實(shí)用新型屬于焦化領(lǐng)域,更具體地說(shuō),本實(shí)用新型涉及一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置。背景技術(shù)[0002] 在工業(yè)生產(chǎn)中,粉碎機(jī)一旦出現(xiàn)故障,對(duì)于此類功率較大的電機(jī)如果采用直接啟動(dòng)的方式對(duì)電網(wǎng)的電流沖擊比較大,一般會(huì)是電流額定值的5至8倍,甚至更高,因此這會(huì)影響電動(dòng)機(jī)的使用壽命,導(dǎo)致大量的能量被消耗。同時(shí),因?yàn)殡娏鬟^(guò)大使得線路上的電壓產(chǎn)生較大的下降,從而影響接在同一臺(tái)變壓器上的其它用電設(shè)備工作。采用降壓?jiǎn)?dòng)裝置或常規(guī)軟啟動(dòng)器起動(dòng)又很難提供足夠大的啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩,無(wú)法實(shí)現(xiàn)重載啟動(dòng)。[0003] 為滿足電動(dòng)機(jī)自身啟動(dòng)條件、負(fù)載傳動(dòng)機(jī)械的工藝要求、保護(hù)其它用電設(shè)備正常工作需要,降低經(jīng)濟(jì)成本,必須研究如何控制異步電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)過(guò)程,從而實(shí)現(xiàn)有效的降低啟動(dòng)沖擊電流和沖擊轉(zhuǎn)矩,使異步電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)性能得到改善。[0004] 以往的粉碎機(jī)啟動(dòng)裝置都是采用直接啟動(dòng)的方式,頻繁啟動(dòng)造成高壓柜真空斷路器機(jī)構(gòu)損傷較大,沖擊電流過(guò)大,壓降幅度過(guò)大損耗大量增加,對(duì)電機(jī)本身的傷害和對(duì)負(fù)載的磨損嚴(yán)重,增加了很多維修成本。實(shí)用新型內(nèi)容

      [0005] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,利用離散變頻的遠(yuǎn)離使得該啟動(dòng)裝置負(fù)載適應(yīng)性更強(qiáng),也可以防止電動(dòng)機(jī)的過(guò)流過(guò)載,增強(qiáng)電動(dòng)機(jī)和負(fù)載的使用壽命。[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為:包括主控芯片模塊和可控硅模塊,主控芯片模塊的信號(hào)輸出端設(shè)置有電壓同步檢測(cè)模塊,可控硅模塊兩端設(shè)置有旁路接觸器,可控硅模塊信號(hào)輸出端設(shè)置有電流互感器,設(shè)置有電動(dòng)機(jī)連接在可控硅模塊的另一個(gè)信號(hào)輸出端,電流互感器與主控芯片模塊的信號(hào)輸入端相連接,在主控芯片模塊與可控硅模塊信號(hào)傳輸線路中設(shè)置有控制模塊;設(shè)置有控制器與主控芯片模塊連接,且主控芯片模塊與控制器進(jìn)行雙向的信息傳遞,控制器的輸入端設(shè)置有輸入設(shè)備連接,控制器的輸出端設(shè)置有顯示器連接。[0007] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述可控硅模塊包括單向可控硅、控制芯片、三態(tài)緩沖器、隔離信號(hào)的光電耦合器件、反向緩沖器和脈沖變壓器。[0008] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述電壓同步檢測(cè)模塊包括用于所述可控硅調(diào)速的三相電壓同步電路模塊、過(guò)零檢測(cè)電路模塊、調(diào)整信號(hào)的方波比較模塊和檢測(cè)相序錯(cuò)誤的相序檢測(cè)模塊。[0009] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述旁路接觸器跨接在所述可控硅模塊的兩端,旁路接觸器有直接啟動(dòng)和軟啟動(dòng)兩種啟動(dòng)方式。[0010] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述主控芯片模塊中的主控芯片型號(hào)是STM32F103C8T6。[0011] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述控制器中的單片機(jī)型號(hào)是AT89C51。[0012] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述電流互感器的信號(hào)輸出端還串聯(lián)有一個(gè)整流電路。[0013] 本技術(shù)方案提供的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置,所述整流電路是在電路中串聯(lián)一個(gè)單向?qū)щ姷亩O管。[0014] 采用本技術(shù)方案利用了離散變頻的原理,增強(qiáng)轉(zhuǎn)矩,可以適應(yīng)更多啟動(dòng)方式,負(fù)載適應(yīng)性更強(qiáng),改善了啟動(dòng)裝置的啟動(dòng)性能;啟動(dòng)時(shí),可以減弱沖擊電流,防止啟動(dòng)裝置中的電動(dòng)機(jī)和負(fù)載過(guò)載過(guò)流,保護(hù)電動(dòng)機(jī)和負(fù)載;裝置啟動(dòng)后,旁路接觸器將電機(jī)投入電網(wǎng),增大可控硅的使用壽命,而旁路接觸器是不帶電切換,其壽命就代表了機(jī)械壽命;AT89C51單片機(jī)的加入可分擔(dān)主控芯片的工作量。[0015] 以下將結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行較為詳細(xì)的說(shuō)明。附圖說(shuō)明[0016] 下面對(duì)本說(shuō)明書各幅附圖所表達(dá)的內(nèi)容及圖中的標(biāo)記作簡(jiǎn)要說(shuō)明:[0017] 圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;[0018] 圖2為本實(shí)用新型的電壓同步檢測(cè)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;[0019] 圖3為本實(shí)用新型的可控硅觸發(fā)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;具體實(shí)施方式[0020] 下面對(duì)照附圖,通過(guò)對(duì)實(shí)施例的描述,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式如所涉及的各構(gòu)件的形狀、構(gòu)造、各部分之間的相互位置及連接關(guān)系、各部分的作用及工作原理、制造工藝及操作使用方法等,作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明,以幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的發(fā)明構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準(zhǔn)確和深入的理解。[0021] 圖1所示的一種粉碎機(jī)的啟動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖包括主控芯片模塊和可控硅模塊,主控芯片模塊的信號(hào)輸出端設(shè)置有電壓同步檢測(cè)模塊,可控硅模塊兩端設(shè)置有旁路接觸器,可控硅模塊信號(hào)輸出端設(shè)置有電流互感器,設(shè)置有電動(dòng)機(jī)連接在可控硅模塊的另一個(gè)信號(hào)輸出端,電流互感器與主控芯片模塊的信號(hào)輸入端相連接,在主控芯片模塊與可控硅模塊信號(hào)傳輸線路中設(shè)置有控制模塊;設(shè)置有控制器與主控芯片模塊連接,且主控芯片模塊與控制器進(jìn)行雙向的信息傳遞,控制器的輸入端設(shè)置有輸入設(shè)備連接,控制器的輸出端設(shè)置有顯示器連接。[0022] 上述中的電壓同步檢測(cè)模塊包括用于可控硅調(diào)速的三相電壓同步電路模塊、過(guò)零檢測(cè)電路模塊、調(diào)整信號(hào)的方波比較模塊和檢測(cè)相序錯(cuò)誤的相序檢測(cè)模塊。[0023] 上述中的可控硅模塊包括單向可控硅、控制芯片、三態(tài)緩沖器、隔離信號(hào)的光電耦合器件、反向緩沖器和脈沖變壓器。[0024] 上述中的旁路接觸器跨接在可控硅模塊的兩端,旁路接觸器有直接啟動(dòng)和軟啟動(dòng)兩種啟動(dòng)方式。[0025] 上述中的主控芯片模塊中的主控芯片型號(hào)是STM32F103C8T6。[0026] 上述中的控制器中的單片機(jī)型號(hào)是AT89C51,AT89C51的加入可以分擔(dān)主控芯片的工作量。[0027] 上述中的電流互感器的信號(hào)輸出端還串聯(lián)有一個(gè)整流電路,對(duì)電路中的元件進(jìn)行保護(hù)。[0028] 上述中的整流電路是在電路中串聯(lián)一個(gè)單向?qū)щ姷亩O管。[0029] 采用上述結(jié)構(gòu),使用時(shí),首先由電網(wǎng)輸入電能,電壓引入電壓同步檢測(cè)模塊中,如圖2所示,通過(guò)電阻分壓得到同步電壓信號(hào),對(duì)三相都進(jìn)行過(guò)零檢測(cè),經(jīng)過(guò)阻容移相后,將交流信號(hào)經(jīng)整形變換為方波,1代表高電平,0代表低電平;在不缺相的情況下,A,B,C三相產(chǎn)生的高電平相互重疊,故檢測(cè)到一直都是高電平;當(dāng)缺少一相及以上時(shí),就會(huì)出現(xiàn)低電平,故只需檢測(cè)該引腳的電平,一旦出現(xiàn)低電平,說(shuō)明有缺相現(xiàn)象。在缺相檢測(cè)無(wú)誤的情況下,利用相序檢測(cè)模塊,檢測(cè)是否有相序錯(cuò)誤,最后再由光電耦合器件對(duì)信號(hào)進(jìn)行隔離和發(fā)送至主控芯片模塊,主控芯片選用高速性能的STM32F103C8T6。檢測(cè)輸入電源電壓過(guò)零點(diǎn)、相序以及是否缺相等。[0030] 在可控硅模塊與異步電動(dòng)機(jī)在主回路中接入電流互感器測(cè)得電機(jī)啟動(dòng)運(yùn)行時(shí)的電流值,將得到的電流互感器二次側(cè)電流值通過(guò)整流電路轉(zhuǎn)換成直流,比較檢測(cè)電流與給定電流的差值,完成限流調(diào)節(jié)和過(guò)流保護(hù)功能。[0031] 啟動(dòng)準(zhǔn)備狀態(tài),通電后由顯示單元模塊顯示啟動(dòng)方式,操作界面選擇啟動(dòng)方式并由控制器將該信息上傳至主控芯片,控制器選用單片機(jī)AT89C51進(jìn)行操作界面和顯示處理設(shè)計(jì),通訊口進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊。[0032] 如圖3所示,先由主控芯片處理電壓同步檢測(cè)模塊輸出的信號(hào)、電流互感器輸出信號(hào)以及控制器輸出的啟動(dòng)方式的選擇后產(chǎn)生觸發(fā)脈沖控制信號(hào)再送入到控制芯片,經(jīng)過(guò)三態(tài)緩沖器對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行增強(qiáng),由光電耦合器件對(duì)信號(hào)進(jìn)行隔離后再經(jīng)過(guò)反向緩沖器后將控制信號(hào)送到脈沖變壓器及繼電器一側(cè),在脈沖變壓器的另一側(cè)產(chǎn)生觸發(fā)脈沖序列加到可控硅的門極,完成對(duì)可控硅導(dǎo)通與關(guān)閉的控制。從而實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)輸出電壓的改變,也就是改變了加載在電動(dòng)機(jī)上的電壓,實(shí)現(xiàn)粉碎機(jī)的電動(dòng)機(jī)的平滑啟動(dòng)。[0033] 啟動(dòng)完成后,啟動(dòng)裝置輸出全壓,此時(shí)旁路接觸器吸合,啟動(dòng)裝置此時(shí)的作用是在線監(jiān)測(cè)及異步電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行保護(hù)。這種工作方式下旁路接觸器通電時(shí)觸點(diǎn)所承受的電流沖擊較小,因此旁路接觸器電氣壽命較長(zhǎng),其容量按電動(dòng)機(jī)額定電流選擇即可,無(wú)需考慮放大容量。[0034] 采用本技術(shù)方案利用了離散變頻的遠(yuǎn)離,增強(qiáng)轉(zhuǎn)矩,可以適應(yīng)更多啟動(dòng)方式,負(fù)載適應(yīng)性更強(qiáng),改善了啟動(dòng)裝置的啟動(dòng)性能;啟動(dòng)時(shí),可以減弱沖擊電流,防止啟動(dòng)裝置中的電動(dòng)機(jī)和負(fù)載過(guò)載過(guò)流,保護(hù)電動(dòng)機(jī)和負(fù)載;裝置啟動(dòng)后,旁路接觸器將電機(jī)投入電網(wǎng),增大可控硅的使用壽命,而旁路接觸器是不帶電切換,其壽命就代表了機(jī)械壽命;AT89C51單片機(jī)的加入可分擔(dān)主控芯片的工作量。[0035] 上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了示例性描述,顯然本實(shí)用新型具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制,只要采用了本實(shí)用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn),或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的,均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。



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