本發(fā)明屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種量子點(diǎn)光電探測器,包括相對設(shè)置的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層,以及設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層之間的量子點(diǎn)層,所述P型半導(dǎo)體層包括復(fù)合金屬氧化物,所述復(fù)合金屬氧化物的分子式為A
n?1B
nO
3n?3,其中,A選自金屬元素中的任意一種,B選自過渡金屬元素中的任意一種,n≥3;所述N型半導(dǎo)體層包括
鈣鈦礦材料。本發(fā)明光電探測器包括鈣鈦礦材料、量子點(diǎn)和復(fù)合金屬氧化物的P/N結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)光電探測器,光響應(yīng)范圍廣,可檢測200~800nm波長的光信號,靈敏度高,且無需外加電場驅(qū)動即可實(shí)現(xiàn)對光信號的檢測,應(yīng)用方便靈活。
聲明:
“量子點(diǎn)光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)