本發(fā)明提供了一種三維分層納米陣列結(jié)構(gòu)銅基材料及其制備方法和應(yīng)用,采用的制備方法是以泡沫銅為基底,采用化學(xué)浸泡法、化學(xué)氣相沉積法和電沉積法在泡沫銅基底上逐步生長(zhǎng)磷化亞銅納米線陣列,無(wú)定形磷化鎳銅鐵納米片,從而得到NiCuFeP@Cu3P/CF電極材料。該制備方法簡(jiǎn)單易操作、成本低。將NiCuFeP@Cu3P/CF用于電解水制氫的電極時(shí),僅需38?54mV的過(guò)電勢(shì)就能達(dá)到10mA·cm?2的電流密度,3000圈循環(huán)測(cè)試后性能未有明顯衰減,說(shuō)明該材料對(duì)電催化制氫反應(yīng)具有優(yōu)異的性能,且穩(wěn)定性良好。
聲明:
“三維分層納米陣列結(jié)構(gòu)銅基材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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