本發(fā)明屬于精密合金領(lǐng)域,特別涉及一種用于光纖環(huán)圈骨架的低膨脹磁屏蔽合金及其制備方法。該合金的化學(xué)成分按重量%為:Ni32.0~35.2,Co3.0~3.5,Mn0.10~0.25,Si≤0.15,Cu≤0.02,C≤0.01,P≤0.01,S≤0.01,余量為Fe;該低膨脹磁屏蔽合金通過(guò)如下步驟制備:高純度原料準(zhǔn)備→成分配比→真空感應(yīng)爐冶煉和真空自耗重熔→鍛造加工→取樣→熱處理→性能測(cè)試。熱處理制度為:高純氫氣保護(hù),隨爐升溫至970±10℃,保溫2.5~3h,以200~250℃/h降溫至550±10℃,快冷至300℃以下出爐。本發(fā)明與現(xiàn)有的低膨脹合金4J32相比,在保持低膨脹特性的前提下,具有較高的初始磁導(dǎo)率,使合金兼具低膨脹性能和磁屏蔽性能兩大優(yōu)點(diǎn)。即:在-45~+75℃溫度范圍內(nèi),合金的膨脹系數(shù)在1.0×10-6/℃以下;初始磁導(dǎo)率高于1.5mH/m。
聲明:
“低膨脹磁屏蔽合金及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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