本發(fā)明涉及半導(dǎo)體構(gòu)件(108),其可由流體的至少一個流體成分加載,其中,所述半導(dǎo)體構(gòu)件(108)具有一襯底(110)、一電極(114)和一接口(116)。所述襯底(110)由一
半導(dǎo)體材料構(gòu)成。所述襯底(110)在第一側(cè)面上具有一襯底觸頭(112)。所述電極(114)布置在所述襯底(110)的第二側(cè)面上。所述電極(114)通過一絕緣的化學(xué)敏感的層(118)與所述半導(dǎo)體材料(110)電絕緣。所述接口(116)為了測量所述接口(116)和所述襯底觸頭(112)之間的電壓而相對于所述電極(114)側(cè)部錯開地布置在所述襯底(110)的第二側(cè)面上。所述半導(dǎo)體材料(110)傳導(dǎo)性地?fù)诫s在所述接口(116)的區(qū)域中。
聲明:
“半導(dǎo)體構(gòu)件和用于確定半導(dǎo)體構(gòu)件的半導(dǎo)體材料的狀態(tài)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)