本發(fā)明提供一種
石墨烯金屬復合結構的太赫茲調(diào)制器,由襯底、金屬結構層、絕緣介質(zhì)層、石墨烯薄膜層、電極組成。所述太赫茲調(diào)制器通過在金屬結構層和電極之間施加電壓改變石墨烯的化學勢,實現(xiàn)對穿過器件的太赫茲波能量的調(diào)制,同時通過金屬結構層在太赫茲波特定波段的共振作用,增強器件在共振波段的調(diào)制深度。本發(fā)明將石墨烯的高電子遷移率性質(zhì)與金屬結構的共振性質(zhì)結合,獲得了高速、大調(diào)制深度的太赫茲調(diào)制器,可廣泛用于太赫茲通信、太赫茲探測、太赫茲成像等領域。
聲明:
“石墨烯金屬復合結構的太赫茲調(diào)制器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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