本發(fā)明公開了一種管芯失效分析方法及堆疊封裝
芯片失效分析方法,管芯包括襯底以及位于襯底上的器件層,失效分析方法包括:從管芯的背面,即襯底所在面,對(duì)管芯中的缺陷進(jìn)行熱點(diǎn)定位;從管芯的背面,去除襯底以暴露目標(biāo)線路;以及在管芯的背面進(jìn)行電測(cè)量以獲得缺陷的信息。堆疊封裝芯片包括引線框、堆疊于引線框上的多個(gè)管芯、以及覆蓋引線框和多個(gè)管芯的封裝料,失效分析方法包括:對(duì)堆疊封裝芯片進(jìn)行電測(cè)量以確定故障管芯;若存在未進(jìn)行失效分析的故障管芯,則重復(fù)執(zhí)行失效分析步驟;失效分析步驟包括:去除引線框、封裝料的一部分和/或管芯,直至暴露出首個(gè)未進(jìn)行失效分析的故障管芯的襯底;采用管芯失效分析方法對(duì)故障管芯進(jìn)行失效分析。
聲明:
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