本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件檢測(cè)領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體器件失效分析方法。在該半導(dǎo)體器件失效分析方法中,將插銷和金屬層間的介電質(zhì)層全部刻蝕掉,再觀測(cè)插銷與金屬層間連接部分,觀測(cè)其中異常情況,找到導(dǎo)致產(chǎn)品失效的根源,方便實(shí)用。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)