本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器失效分析方法,該方法包括以下步驟:對半導(dǎo)體激光器從低電壓到高電壓逐級進(jìn)行ESD測試,通過比較半導(dǎo)體激光器ESD測試前后的光電特性曲線判斷該半導(dǎo)體激光器是否失效,并確定其失效等級;使用高倍光學(xué)顯微鏡對失效半導(dǎo)體激光器各部位進(jìn)行外觀失效檢查,采集并存儲異常部位的圖像;借助SEM觀察所述半導(dǎo)體激光器出光面的損傷細(xì)節(jié),采集并儲存相應(yīng)的圖像;對所述半導(dǎo)體激光器的有源層損傷情況進(jìn)行測試。半導(dǎo)體器件十分容易受到靜電放電作用而失效,本發(fā)明對找到其失效機(jī)理進(jìn)而對器件進(jìn)行改進(jìn),可以準(zhǔn)確定位其失效部位,得到失效機(jī)理,最終達(dá)到改進(jìn)器件提高性能的目的。
聲明:
“半導(dǎo)體激光器靜電失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)