本發(fā)明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種電性失效分析方法,利用存儲單元的電流拼圖進行一種直觀性,準確性和高效性的電性分析測試,電流高低不同的存儲單元會以深淺不一的顏色顯示出來,而不是像比特拼圖只能表示存儲單元是處于‘0’還是‘1’狀態(tài),可以清楚地知道失效地址是硬失效還是邊緣失效,因此發(fā)現一些比特拼圖不能發(fā)現電性失效圖案對應的物理位置,給后續(xù)物理失效分析指明確切的分析方向,從而提高分析效率和失效案例的命中率。
聲明:
“電性失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)