本發(fā)明一種通孔鏈結構的失效分析方法,包括:提供待分析樣品,所述待分析樣品中具有通孔鏈結構,所述通孔鏈包括半導體襯底、金屬線和位于半導體襯底與金屬線之間的接觸電極,所述半導體襯底與接觸電極之間電連接良好;對所述樣品進行切割,使得切割后的樣品的一個側面與通孔鏈接的一側的距離為1-10微米;對切割后的樣品進行平面研磨至露出金屬線的表面;在樣品表面沉積金屬層,所述金屬層覆蓋金屬線的表面;將金屬層接地;將樣品放入聚焦電子束,利用沿平行于半導體襯底的厚度的方向對樣品進行垂直切割,將位于接觸電極下方的半導體襯底去除,露出接觸電極的底部;從接觸電極的底部對接觸電極和金屬線進行電壓襯度失效定位分析。
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