本發(fā)明公開了一種封裝
芯片失效分析樣品的制備方法,其包括如下步驟:步驟一,提供待分析封裝芯片;步驟二,采用丙酮浸泡待分析封裝芯片,拆除散熱蓋并擦除晶粒表面的散熱膠;步驟三,將多塊第一硅片粘接在基板臨近晶粒的位置;步驟四,在晶粒頂面粘接固定蓋玻片;步驟五,進行混合膠冷埋鑲嵌,使得待分析封裝芯片固化在透明環(huán)氧樹脂內(nèi)部;步驟六,研磨基板底面,使得基板減薄以接近晶粒,并將第二硅片粘接在基板底面;步驟七,沿晶粒側(cè)面研磨第一硅片至待觀察的芯片位置,得到封裝芯片失效分析樣品。其能夠避免截面研磨過程中因外部應力的引入導致的芯片結(jié)構(gòu)破壞,提高制樣成功率并保持晶粒的原有狀態(tài),保障了后續(xù)截面形貌觀察的效果。
聲明:
“封裝芯片失效分析樣品的制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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