本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,具體地涉及一種新型電子傳輸層
鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法,包括:(1)將導(dǎo)電玻璃清洗后,用等離子清洗機(jī)處理,得到預(yù)處理后的導(dǎo)電玻璃基片;(2)采用高能球磨法制備GaN
納米材料,然后在導(dǎo)電玻璃基片上旋涂GaN分散液,轉(zhuǎn)移至加熱臺(tái)制備出GaN電子傳輸層;(3)在GaN電子傳輸層上旋涂鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,旋涂結(jié)束后迅速轉(zhuǎn)移至預(yù)熱的加熱臺(tái)上制得鈣鈦礦層;(4)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂空穴傳輸層;(5)將電極蒸鍍到所述制備的空穴傳輸層上,完成
鈣鈦礦太陽能電池制備。本發(fā)明使用GaN納米材料作為電子傳輸層,能夠改善太陽能電池電子傳輸效率,降低復(fù)合速率,從而顯著提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
聲明:
“新型電子傳輸層鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)