本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種對失效
芯片進(jìn)行電性失效分析的方法,通過在CP測試過程中記錄芯片的特性參數(shù),在CP測試最后將收集到的芯片特性參數(shù)寫入安全寄存器內(nèi),并使其變?yōu)橹蛔x狀態(tài),以便于在后續(xù)的電性失效分析中,能快速高效得到初始CP中芯片的特性參數(shù),因此一定程度上節(jié)約人力和測試機(jī)臺成本,提高后期對芯片的分析效率。
聲明:
“對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)