本發(fā)明提供一種硅的提純方法,步驟包括將原料硅與鋁及金屬添加劑混合得混合物,混合物加熱熔融,于1350~1750℃保持0.5~20小時,后降溫到500~650℃析出硅,得提純硅;其中,原料硅與鋁的質(zhì)量比為1∶0.4~1∶5,金屬添加劑為鈦和/或釩。能有效去除原料硅中的雜質(zhì)硼,硼的去除率高達99%以上,且雜質(zhì)硼含量越高,硼的去除率越高,去除效率強,能有效降低原料硅中硼含量。而且能降低其他雜質(zhì)的含量,使原料硅的純度達到4~5N,為冶金法制備太陽能級
多晶硅提供低成本、高性能的原料。而且本發(fā)明的硅的提純方法能耗小,成本少,與等離子體除硼相比,能耗降低80%,成本降低60%,且設(shè)備簡單、投資少。
聲明:
“硅提純的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)