本發(fā)明是以冶金級硅為原料,經(jīng)還原熔煉、精煉、
濕法冶金、真空提純制備太陽能級
多晶硅的方法和工藝。本發(fā)明的內(nèi)容是:在電弧爐內(nèi),采用石墨電極產(chǎn)生的電弧加熱,用碳還原硅石制備出的冶金硅液,在精煉爐內(nèi)徑絮凝精煉、鋇鹽精煉、熔劑精煉、氧化精煉、硬模冷卻、破碎、酸洗、真空熔煉、真空脫氣、定向凝固、切頭去尾,得到太陽能級的多晶硅。本發(fā)明的優(yōu)點是:與西門子、改良西門子法等傳統(tǒng)工藝相比較,原料來源豐富,固定資產(chǎn)投資僅是1/3,并可分批投入,節(jié)能20~25%,降低成本20%,原材料為硅石,更易獲得,不用氯氣,環(huán)保和設備材料容易解決,可生產(chǎn)出滿足
太陽能電池需要的多晶硅,一個工藝可以有三個產(chǎn)品(99.95%、99.995、太陽能多晶硅),可降低投資風險,上述三種產(chǎn)品國內(nèi)外均有良好的市場,可應用于不同的行業(yè),最終產(chǎn)品可以滿足太陽能級多晶硅的要求。
聲明:
“制備太陽能級多晶硅的新工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)