本發(fā)明提出了一種制備高純碳化硅粉料的方法,其特征在于,(1)選擇高純硅粉和高純碳粉;(2)對高純碳粉、
石墨坩堝和保溫結(jié)構(gòu)進行一次提純和二次提純,其中,一次提純采用真空脫氣提純,二次提純采用惰性氣體下的高溫提純;(3)將步驟(2)二次提純得到的高純碳粉和步驟(1)中的高純硅粉置于步驟(2)二次提純得到的石墨坩堝中,反應(yīng)得到高純碳化硅粉料。本發(fā)明通過對碳粉和石墨坩堝及保溫結(jié)構(gòu)進行預(yù)處理降低了高純碳粉的含氮量與金屬雜質(zhì)含量,相比合成碳化硅后再進行
濕法冶金處理,更為環(huán)保,且工序更簡單,同時保證了合成碳化硅粉料時不會從石墨坩堝及保溫結(jié)構(gòu)中引入雜質(zhì)。
聲明:
“制備高純碳化硅粉料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)