本申請(qǐng)公開(kāi)了一種高純碳化硅粉及其制備方法,屬于
半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域。該高純碳化硅粉的制備方法包括下述步驟:提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作為初碳化硅粉料;將初碳化硅粉料重結(jié)晶,制得碳化硅多晶塊;將碳化硅多晶塊除碳提純,制得高純碳化硅粉;所述重結(jié)晶的溫度不低于2500℃。本申請(qǐng)通過(guò)重結(jié)晶的方法提高制得的高純碳化硅粉的純度,無(wú)需經(jīng)過(guò)
濕法冶金或酸洗步驟除雜,污染小、毒性小、操作性高;并且純碳化硅粉在600?799℃下通氧氣的除碳提純步驟使得碳化多晶塊的去碳效果好、制得的高純碳化硅粉的氧化程度低,高純碳化硅粉用于生長(zhǎng)碳化硅單晶的氧雜質(zhì)影響??;該制備方法可制得純度不低于99.9999%的高純碳化硅粉,且高純碳化硅粉的粒度可控。
聲明:
“高純碳化硅粉及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)