一種圓筒狀射流態(tài)直接電沉積設(shè)備及使用其電積金屬的方法,其中設(shè)備包括外層陰極管、內(nèi)層陽極管、進料液管和出料口,所述外層陰極管套設(shè)在所述內(nèi)層陽極管之外;所述內(nèi)層陽極管的一端密封,另一端與所述進料液管密封連通;所述外層陰極管靠近所述進料液管的一端與同一端的內(nèi)層陽極管之間密封連接,所述外層陰極管的另一端連通所述出料口;所述內(nèi)層陽極管上開設(shè)有連通所述外層陰極管和所述內(nèi)層陽極管的陽極管壁小孔。本發(fā)明可在大規(guī)模電沉積生產(chǎn)中的應(yīng)用,可實現(xiàn)自動化、連續(xù)化、大規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn),又可實現(xiàn)礦石
低品位,產(chǎn)出高品質(zhì),低投資成本、高產(chǎn)出、低能耗、低碳排放、低污染環(huán)境友好型新技術(shù)。
聲明:
“圓筒狀射流態(tài)直接電沉積設(shè)備及使用其電積金屬的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)