環(huán)保型單級(jí)旋片式真空泵 537     

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本實(shí)用新型公開了一種環(huán)保型單級(jí)旋片式真空泵，包括泵體、油箱和氣液分離箱，所述泵體一側(cè)連接有油箱，所述油箱頂部安裝有氣液分離箱，所述泵體內(nèi)設(shè)有泵腔，所述泵體頂部設(shè)有進(jìn)氣管道和出氣管道，所述氣液分離箱上設(shè)有進(jìn)氣口，所述出氣管道與進(jìn)氣口連接，所述氣液分離箱內(nèi)設(shè)有進(jìn)氣擋板，所述進(jìn)氣擋板靠近進(jìn)氣口設(shè)置，所述進(jìn)氣擋板上設(shè)有驅(qū)動(dòng)電機(jī)和風(fēng)扇，所述氣液分離器內(nèi)上部設(shè)有冷卻板，所述油箱的底部設(shè)有換油管道，所述換油管道上設(shè)有電磁閥和連接筒，本實(shí)用新型的有益效果為：出氣管道上接有氣液分離箱，充分的將油氣混合體進(jìn)行分離，同時(shí)在油箱的底部設(shè)有換油管道和連接筒，能夠有效的將油箱中的雜質(zhì)與機(jī)油分離，安全環(huán)保。

熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng) 758     

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本實(shí)用新型公開了一種熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)，該熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)，包括進(jìn)氣系統(tǒng)和排氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括進(jìn)氣管道，所述進(jìn)氣管道上設(shè)置有控制裝置；所述排氣系統(tǒng)包括排氣管道，所述排氣管道上設(shè)置有抽取真空裝置；所述熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)還包括一密閉空間，所述進(jìn)氣系統(tǒng)和所述排氣系統(tǒng)通過(guò)所述密閉空間相連接。本實(shí)用新型熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)能夠保證熱處理用真空爐處理的工件在加熱時(shí)揮發(fā)出來(lái)的油氣、污物等不斷被置換出加熱的密閉空間，保證了對(duì)表面光潔度要求高的工件質(zhì)量合格；同時(shí)，在整個(gè)加熱過(guò)程中，能夠始終保持爐內(nèi)惰性氣體的壓力維持在一個(gè)穩(wěn)定的數(shù)值。

熱處理用真空爐大空間爐膛 1053     

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本實(shí)用新型公開了一種熱處理用真空爐大空間爐膛，所述熱處理用真空爐大空間爐膛包括爐膛本體，所述爐膛本體被區(qū)分為若干獨(dú)立的加熱區(qū)，每一個(gè)所述獨(dú)立的加熱區(qū)都設(shè)置有可調(diào)節(jié)溫度的裝置。本實(shí)用新型采用將大空間爐膛有效加熱區(qū)布置成若干個(gè)大加熱區(qū)，每個(gè)大加熱區(qū)分成復(fù)數(shù)個(gè)獨(dú)立的小加熱區(qū)，每個(gè)小加熱區(qū)的加熱單獨(dú)控制，并在每個(gè)小加熱區(qū)配置一個(gè)控溫?zé)犭娕嫉姆绞綄?shí)現(xiàn)有效加熱區(qū)長(zhǎng)度超過(guò)1200mm的熱處理用真空爐的大空間爐膛的溫度均勻性。

高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置 941     

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本實(shí)用新型提供了一種高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置，涉及工件處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置，包括：門體組，門體組包括第一門體、第二門體、第三門體和第四門體；深冷室，深冷室用于對(duì)工件執(zhí)行深冷工藝，深冷室的一側(cè)設(shè)置有用于供工件進(jìn)出的第一門體；回火室，回火室用于對(duì)工件執(zhí)行回火工藝，回火室和深冷室之間通過(guò)第二門體、第三門體和第四門體共同的開閉實(shí)現(xiàn)連通或者隔斷；和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)工件在深冷室、回火室之間流轉(zhuǎn)。通過(guò)使用高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置實(shí)現(xiàn)在爐內(nèi)對(duì)工件進(jìn)行高低溫轉(zhuǎn)化，可以使得工件獲得所需的特性，保障工藝處理質(zhì)量。

氣體冷卻裝置以及熱處理用真空油淬爐 1128     

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本實(shí)用新型提供了一種氣體冷卻裝置以及熱處理用真空油淬爐，涉及熱處理技術(shù)領(lǐng)域，該氣體冷卻裝置，包括裝置本體、風(fēng)扇組件和冷卻組件，裝置本體設(shè)置有分隔板，分隔板將裝置本體分隔成隔離腔室和過(guò)渡腔室，分隔板上開設(shè)有流通孔，風(fēng)扇組件容置在過(guò)渡腔室內(nèi)并設(shè)置在流通孔的上方，冷卻組件容置在隔離腔室內(nèi)并設(shè)置在流通孔的下方，隔離腔室內(nèi)還設(shè)置有多個(gè)冷卻管道，每個(gè)冷卻管道的一端穿過(guò)分隔板并與過(guò)渡腔室連通，每個(gè)冷卻管道的另一端與隔離腔室連通。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的一種氣體冷卻裝置，能夠通過(guò)氣體進(jìn)行冷卻，能夠保證工件冷卻后品質(zhì)優(yōu)良，同時(shí)冷卻效果好，冷卻效率高。

電機(jī)真空啟動(dòng)系統(tǒng) 950     

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本實(shí)用新型提供了一種電機(jī)真空啟動(dòng)系統(tǒng)，屬于金屬熱處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。電機(jī)真空啟動(dòng)系統(tǒng)包括電機(jī)和供氣裝置，所述電機(jī)具有內(nèi)腔。所述供氣裝置與所述內(nèi)腔連通，所述供氣裝置用于為所述內(nèi)腔供氣。這種真空啟動(dòng)系統(tǒng)可保證快速的啟動(dòng)電機(jī)，使真空爐中的強(qiáng)制冷卻氣體進(jìn)行熱交換。同時(shí)，電機(jī)不會(huì)受到因真空爐爐內(nèi)是真空的影響而不能啟動(dòng)，這樣有效的保證了真空爐內(nèi)的工件的淬火質(zhì)量。

氣體冷卻裝置和真空氣淬爐 1132     

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本發(fā)明提供的氣體冷卻裝置和真空氣淬爐，涉及熱處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該氣體冷卻裝置包括驅(qū)動(dòng)器、送風(fēng)機(jī)、冷卻室和加熱室，驅(qū)動(dòng)器與送風(fēng)機(jī)連接，送風(fēng)機(jī)與冷卻室連接，加熱室設(shè)于冷卻室遠(yuǎn)離送風(fēng)機(jī)的一側(cè)。冷卻室開設(shè)有第一導(dǎo)流口和第二導(dǎo)流口，分別設(shè)于冷卻室相對(duì)的兩側(cè)。加熱室開設(shè)有第一風(fēng)口和第二風(fēng)口，分別設(shè)于加熱室相對(duì)的兩側(cè)。第一導(dǎo)流口或第二導(dǎo)流口開啟，用于將加熱室內(nèi)的氣體引入冷卻室中冷卻，送風(fēng)機(jī)將冷卻室中冷卻后的氣體再次輸送至加熱室中，起到冷卻加熱室中的工件的效果。該氣體冷卻裝置熱交換效率高，使工件在短的時(shí)間內(nèi)氣淬，保證產(chǎn)品品質(zhì)。

高鉻鎳基鑄造高溫合金的真空冶煉設(shè)備 840     

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本發(fā)明公開了高鉻鎳基鑄造高溫合金的真空冶煉設(shè)備，包括支撐架，所述支撐架的內(nèi)部設(shè)置有冶煉爐，所述冶煉爐的頂部設(shè)置有密封蓋，所述支撐架的頂部均勻設(shè)置有四個(gè)支撐柱，每個(gè)所述支撐柱的外側(cè)均設(shè)置有與密封蓋連接的套筒，四個(gè)所述支撐柱的上端共同設(shè)置有頂板，所述頂板的下表面設(shè)置有與密封蓋連接的電動(dòng)伸縮桿，所述冶煉爐的外側(cè)設(shè)置有連接管，所述連接管的外側(cè)設(shè)置有電磁閥，且所述連接管的一端設(shè)置有濾塵管。本發(fā)明通過(guò)在濾塵管的外側(cè)設(shè)置有第二固定塊和弧形蓋，同時(shí)在弧形蓋的外側(cè)設(shè)置有第一固定塊，第二固定塊和第一固定塊之間通過(guò)螺釘進(jìn)行固定，便于進(jìn)行拆卸，方便進(jìn)行清理。

送料機(jī)構(gòu)和真空爐 881     

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本發(fā)明提供的送料機(jī)構(gòu)和真空爐，涉及熱處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該送料機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)器、傳動(dòng)組件和定位組件。驅(qū)動(dòng)器與傳動(dòng)組件連接，驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)組件運(yùn)動(dòng)，傳動(dòng)組件用于承載并運(yùn)送工件。定位組件與傳動(dòng)組件連接，用于判斷傳動(dòng)組件的運(yùn)動(dòng)距離，對(duì)工件進(jìn)行定位。該送料機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，安全可靠，能夠精確定位傳動(dòng)組件的位置，將工件準(zhǔn)確運(yùn)送至預(yù)設(shè)區(qū)域，有利于提高工件的運(yùn)輸效率及生產(chǎn)品質(zhì)。本發(fā)明提供的真空爐，包括上述的送料機(jī)構(gòu)，定位性能好，能精確地將工件運(yùn)送至真空爐內(nèi)的指定區(qū)域，運(yùn)送效率高，安全可靠。

提高氮化鋁覆鋁封裝襯板耐熱循環(huán)可靠性的辦法 1096     

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本發(fā)明提供了一種提高氮化鋁覆鋁封裝襯板耐熱循環(huán)可靠性的辦法，本發(fā)明中，在氮化鋁覆鋁陶瓷基板表面濺射鍍銅并進(jìn)行真空擴(kuò)散燒結(jié)，在鋁表面層引入微量銅元素，形成均勻的銅鋁固溶體硬化層，再對(duì)其進(jìn)行表面進(jìn)行化學(xué)鍍鎳處理在表面形成均勻鍍鎳層，處理后的氮化鋁覆鋁封裝襯板在熱循環(huán)前后的粗糙度對(duì)比相差不大，通過(guò)本方法，降低了鍍層表面應(yīng)力集中和鍍層開裂情況，提高了氮化鋁覆鋁封裝襯板在極端條件下的耐熱循環(huán)可靠性。

熱處理用真空爐的上下料過(guò)渡裝置及真空爐 1005     

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本發(fā)明提供了一種熱處理用真空爐的上下料過(guò)渡裝置及真空爐，涉及金屬熱處理設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。熱處理用真空爐的上下料過(guò)渡裝置包括支架座、底座、抬升組件、前伸軌道組件和升降軌道組件；底座通過(guò)抬升組件設(shè)置在支架座上，以使底座能夠相對(duì)支架座升降移動(dòng)；前伸軌道組件和升降軌道組件設(shè)置在底座上，升降軌道組件位于前伸軌道組件的一側(cè)，且在前伸軌道組件處于未伸出狀態(tài)時(shí)，前伸軌道組件的第一軌道位于升降軌道組件的第二軌道的上方。真空爐包括爐體、傳送件和熱處理用真空爐的上下料過(guò)渡裝置；熱處理用真空爐的上下料過(guò)渡裝置位于爐體與傳送件之間。達(dá)到了上下料效率高的技術(shù)效果。

自潤(rùn)滑磨齒砂輪及其制備方法 943     

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本發(fā)明公開了一種自潤(rùn)滑磨齒砂輪，所述磨齒砂輪由包括以下重量份的原料制成：陶瓷結(jié)合劑12~20份、鋯剛玉70~100份、碳化硅5~8份、黃糊精3~5份以及水2~3份。上述自潤(rùn)滑磨齒砂輪的原料中含有一定量的碳化硅，在磨齒砂輪的制備過(guò)程中，碳化硅最終會(huì)形成石墨顆粒以微米級(jí)顆粒的形式獨(dú)立存在于砂輪組織結(jié)構(gòu)中，不會(huì)吸附于剛玉磨料表面，不會(huì)影響陶瓷結(jié)合劑對(duì)剛玉磨料的粘接強(qiáng)度，在保證潤(rùn)滑性能的同時(shí)不會(huì)降低砂輪的使用壽命以及回轉(zhuǎn)強(qiáng)度。

熱處理用真空爐大空間爐膛及控溫方法 1051     

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本發(fā)明公開了一種熱處理用真空爐大空間爐膛及控溫方法，所述熱處理用真空爐大空間爐膛包括爐膛本體，所述爐膛本體被區(qū)分為若干獨(dú)立的加熱區(qū)，每一個(gè)所述獨(dú)立的加熱區(qū)都設(shè)置有可調(diào)節(jié)溫度的裝置。本發(fā)明采用將大空間爐膛有效加熱區(qū)布置成若干個(gè)大加熱區(qū)，每個(gè)大加熱區(qū)分成復(fù)數(shù)個(gè)獨(dú)立的小加熱區(qū)，每個(gè)小加熱區(qū)的加熱單獨(dú)控制，并在每個(gè)小加熱區(qū)配置一個(gè)控溫?zé)犭娕嫉姆绞綄?shí)現(xiàn)有效加熱區(qū)長(zhǎng)度超過(guò)1200mm的熱處理用真空爐的大空間爐膛的溫度均勻性。

覆銅陶瓷基板及其制備方法 1161     

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本發(fā)明涉及一種覆銅陶瓷基板，燒結(jié)前包括位于中間的陶瓷層、位于陶瓷層上下兩面的焊料層、貼附在焊料層上的應(yīng)力緩沖層以及貼附在應(yīng)力緩沖層上的金屬銅層。應(yīng)力緩沖層為金屬片，毛面朝向焊料層、光面朝向金屬銅層。制備方法如下：1)將作為應(yīng)力緩沖層的銅箔和作為金屬銅層的銅片去除油污后，進(jìn)行防氧化清洗；2)陶瓷層雙面絲網(wǎng)印刷焊料層或雙面貼敷活性金屬焊片；3)在焊料層或活性金屬焊片上貼敷銅箔，在銅箔上覆蓋金屬銅層；4)在待燒結(jié)件上下放置壓頭；5)依照AMB工藝進(jìn)行真空活性釬焊燒結(jié)并提供分子擴(kuò)散焊所需條件，溫度控制在700℃?940℃，真空度小于0.01，燒結(jié)時(shí)間60min?540min，銅箔和金屬銅層分子擴(kuò)散焊后形成微孔區(qū)。

低介電常數(shù)α?Si3N4多孔陶瓷的制備方法 792     

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本發(fā)明公開了一種低介電常數(shù)α?Si3N4多孔陶瓷的制備方法，按照如下步驟進(jìn)行：a、以稻殼為原料，制備得到碳硅質(zhì)前驅(qū)體，再添加α?Si3N4粉體、燒結(jié)助劑，組成陶瓷原料；b、將凝膠物質(zhì)和分散劑分散在去離子水中，與上述陶瓷原料混合，球磨4?8h后取出，真空除泡10?30min，形成漿料；然后水浴加熱至40?80℃，使?jié){料中的凝膠物質(zhì)完全溶解，其中漿料的固相含量為35?60％；c、將上述料漿注入預(yù)熱的模具中，進(jìn)行注凝成型，脫模干燥，得到坯體；最后燒結(jié)自然冷卻至室溫，即獲得低介電常數(shù)α?Si3N4多孔陶瓷。

高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置及工件高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化方法 783     

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本發(fā)明提供了一種高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置及工件高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化方法，涉及工件處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置，包括：門體組，門體組包括第一門體、第二門體、第三門體和第四門體；深冷室，深冷室用于對(duì)工件執(zhí)行深冷工藝，深冷室的一側(cè)設(shè)置有用于供工件進(jìn)出的第一門體；回火室，回火室用于對(duì)工件執(zhí)行回火工藝，回火室和深冷室之間通過(guò)第二門體、第三門體和第四門體共同的開閉實(shí)現(xiàn)連通或者隔斷；和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)工件在深冷室、回火室之間流轉(zhuǎn)。該方法通過(guò)使用高低溫爐內(nèi)轉(zhuǎn)化裝置實(shí)現(xiàn)在爐內(nèi)對(duì)工件進(jìn)行高低溫轉(zhuǎn)化，可以使得工件獲得所需的特性，保障工藝處理質(zhì)量。

電機(jī)真空啟動(dòng)系統(tǒng)及電機(jī)真空啟動(dòng)方法 956     

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本發(fā)明提供了一種電機(jī)真空啟動(dòng)系統(tǒng)及電機(jī)真空啟動(dòng)方法，屬于金屬熱處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。電機(jī)真空啟動(dòng)系統(tǒng)包括電機(jī)和供氣裝置，所述電機(jī)具有內(nèi)腔。所述供氣裝置與所述內(nèi)腔連通，所述供氣裝置用于為所述內(nèi)腔供氣。這種真空啟動(dòng)系統(tǒng)可保證快速的啟動(dòng)電機(jī)，使真空爐中的強(qiáng)制冷卻氣體進(jìn)行熱交換。同時(shí)，電機(jī)不會(huì)受到因真空爐爐內(nèi)是真空的影響而不能啟動(dòng)，這樣有效的保證了真空爐內(nèi)的工件的淬火質(zhì)量。

用于電熱合金的高放射率涂層的加工工藝 1088     

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本發(fā)明公開了一種用于電熱合金的高放射率涂層的加工工藝，首先將原料中的石墨進(jìn)行研磨并篩分，產(chǎn)生尺寸為10um的粉末，并將其分為兩等份，將放射性廢物和部分玻璃投入球磨機(jī)中進(jìn)行研磨，并與其中一份石墨粉末混合均勻，造粒并壓實(shí)成壓塊；將剩余的石墨粉末與剩余的玻璃進(jìn)行研磨并混合均勻，并在高溫下壓制成具有空腔的胚塊；將壓塊放置于胚塊的空腔中，控制溫度為1000℃，壓制成型，得到放射性基材。本發(fā)明中配比合理，不僅有效提高了高放射率涂層的使用壽命和生產(chǎn)前景，同時(shí)涂層具有較優(yōu)良的抗氧化性和較高的放射率，涂層顆粒分布均勻，實(shí)用性較大，同時(shí)可對(duì)生產(chǎn)中得到的放射性廢物進(jìn)行有效處理，廢物利用，降低成本。

覆銅陶瓷基板的活性金屬層的蝕刻液及其刻蝕方法 797     

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本發(fā)明公開了一種覆銅陶瓷基板的活性金屬層的蝕刻液及其刻蝕方法。一種陶瓷覆銅基板的活性金屬反應(yīng)層的蝕刻液，由以下質(zhì)量百分比的組分組成；5％?15％H₂O₂、3％?5％NaOH、1％?3％M、3％?5％N，余量為純水；M為羥基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、2?膦酸丁烷?1,2,4三羧酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2?羥基膦?；宜帷⒘蛩徭V或硫酸鎂的水合鹽中的至少一種。上述蝕刻液針對(duì)于無(wú)銀工藝焊料的含鈦、鉿、鋯等活性金屬與陶瓷形成的活性金屬反應(yīng)層，具備高針對(duì)性，溶液穩(wěn)定性高、對(duì)溫度不敏感、蝕刻效率高。

碳化硅陶瓷球的成型工藝 1100     

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本發(fā)明提供了一種碳化硅陶瓷球，由重量份如下的原料經(jīng)混料、造粒、制種、成型、燒結(jié)和研磨而制成：主料：碳化硅細(xì)粉87％～96％、高殘?zhí)挤尤渲?％～11％、燒結(jié)助劑1.2％～5％，所述燒結(jié)助劑為B、C、B₄C、Al₂O₃和Y₂O₃中的至少一種；輔料：粘結(jié)劑、分散劑，其用量依次為主料重量的0.9％～11％、0.5％～3.5％，粘結(jié)劑為聚乙烯醇、糊精和羧甲基纖維素中的至少一種；分散劑為聚乙二醇、四甲基氫氧化銨、磷鋁酸鹽、聚丙烯酸中的至少一種。本發(fā)明碳化硅陶瓷球密度大，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定；能夠滿足多規(guī)格粒徑的碳化硅陶瓷球的制備，范圍廣，從1mm?50mm均能生產(chǎn)；一次性投資少，擴(kuò)產(chǎn)容易。

基于汽車模具生產(chǎn)的復(fù)合型材料刀具及其制備方法 935     

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本發(fā)明公開一種基于汽車模具生產(chǎn)的復(fù)合型材料刀具，該刀具中各材料的質(zhì)量百分比為：氧化鋁4.2％?4.6％、氮化硅5.7％?6.5％、碳化鈦8.4％?9.2％、氧化鈦6.7％?7.7％、碳化鉬1.3％?1.6％、碳化鎢2.2％?2.8％、氧化鉬3.2％?3.5％、鎳0.6％?1％、氧化鉻0.8％?1.2％、碳化釩1.6％?2.1％、碳3.5％?4.5％、五氧化二鈮0.2％?0.4％、氧化釔0.1％?0.2％、三氧化二鑭0.1％?0.2％、余量為鐵；本發(fā)明開公開了一種基于汽車模具生產(chǎn)的復(fù)合型材料刀具的制備方法，本發(fā)明制造工藝簡(jiǎn)單，使用原材料價(jià)格低，相比傳統(tǒng)的金剛石涂層刀具，生產(chǎn)成本大大降低，通過(guò)采用復(fù)合型材料制成刀坯，有著硬度高、抗壓強(qiáng)度高和抗彎強(qiáng)度高的特性，在刀坯上通過(guò)化學(xué)氣相沉積法鍍不同材料的兩層鍍層，耐磨、耐腐蝕以及耐沖擊等性能得到提高，大大提高了其工作性能和使用壽命，具有很好使用和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)及平衡置換方法 1022     

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本發(fā)明公開了一種熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)及平衡置換方法，該熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)，包括進(jìn)氣系統(tǒng)和排氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括進(jìn)氣管道，所述進(jìn)氣管道上設(shè)置有控制裝置；所述排氣系統(tǒng)包括排氣管道，所述排氣管道上設(shè)置有抽取真空裝置；所述熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)還包括一密閉空間，所述進(jìn)氣系統(tǒng)和所述排氣系統(tǒng)通過(guò)所述密閉空間相連接。本發(fā)明熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統(tǒng)能夠保證熱處理用真空爐處理的工件在加熱時(shí)揮發(fā)出來(lái)的油氣、污物等不斷被置換出加熱的密閉空間，保證了對(duì)表面光潔度要求高的工件質(zhì)量合格；同時(shí)，在整個(gè)加熱過(guò)程中，能夠始終保持爐內(nèi)惰性氣體的壓力維持在一個(gè)穩(wěn)定的數(shù)值。

高效率的電子煙雙面加熱片及其制備方法 1091     

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本發(fā)明公開了一種高效率的電子煙雙面加熱片及其制備方法；本發(fā)明以絕緣陶瓷為基板，使用磁控濺射設(shè)備，在真空腔體中，將所需的金屬層的金屬或合金作為陰極靶材，通入氬氣使其電離形成氬離子后轟擊靶材，使靶材的固體原子或分子從靶材表面射出，濺射到陶瓷基板表面，形成目標(biāo)的金屬層。由鎢、鉬、改性氮化硼和纖維素納米纖維制備保護(hù)釉層，化學(xué)鍍金屬電極，得到的一種高效率的電子煙雙面加熱片，具有低熱阻、高熱導(dǎo)率、高熱穩(wěn)定性和力學(xué)性能。

提高覆銅陶瓷基板絕緣可靠性的制備方法 1145     

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本發(fā)明公開了一種提高覆銅陶瓷基板絕緣可靠性的制備方法，包括以下步驟：步驟一：在陶瓷基板表面形成鋁金屬化層；步驟二：對(duì)鋁金屬化層進(jìn)行圖形刻蝕和陽(yáng)極氧化；步驟三：活性金屬釬焊燒結(jié)，貼附銅箔，圖形刻蝕，即為覆銅陶瓷基板。本發(fā)明為了避免覆銅陶瓷基板表面出現(xiàn)局部高壓以及局部放電量不穩(wěn)定情況，通過(guò)在銅瓷結(jié)合面引入高強(qiáng)度鍵合的絕緣鋁陽(yáng)極氧化層，提高了產(chǎn)品的絕緣可靠性，絕緣陽(yáng)極氧化層的圖形特征可以依據(jù)產(chǎn)品特性進(jìn)行定制，進(jìn)一步提高產(chǎn)品局部高壓條件下的絕緣可靠性。

互不相溶的Cu-Mo合金的制備方法及Cu-Mo合金 947     

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本發(fā)明公開了一種互不相溶的Cu?Mo合金的制備方法及Cu?Mo合金，對(duì)Cu?Mo合金基體材料進(jìn)行強(qiáng)流脈沖電子束輻照處理，在Cu?Mo合金基體材料表層誘發(fā)生成分布有納米鉬顆粒的合金層，能夠提高Cu?Mo合金的耐磨性，以滿足其在作為電觸頭材料等應(yīng)用場(chǎng)景下的性能要求。

用于白光LED熒光轉(zhuǎn)換的含Sr的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法 1034     

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本發(fā)明涉及一種透明熒光陶瓷材料，特別是一種用于白光激光二極管(以下簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED)熒光轉(zhuǎn)換的含Sr的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法，該透明陶瓷由MgAl2O4-(CexSryY1-x-y)3Al5O12構(gòu)成。該透明陶瓷可直接用作封裝材料來(lái)替代傳統(tǒng)的有機(jī)高分子或硅膠類封裝材料，其相對(duì)于現(xiàn)有的透明陶瓷，具有較低且穩(wěn)定的色溫，優(yōu)異的發(fā)光效率，顯著提高的顯色指數(shù)，非常高的穩(wěn)定性和抗光衰性能，因而具有令人滿意的使用壽命。

用于白光LED熒光轉(zhuǎn)換的含Lu的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法 780     

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本發(fā)明涉及一種透明熒光陶瓷材料，特別是一種用于白光激光二極管(以下簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED)熒光轉(zhuǎn)換的含Lu的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法，該透明陶瓷由MgAl2O4-(CexLuyY1-x-y)3Al5O12構(gòu)成。該透明陶瓷可直接用作封裝材料來(lái)替代傳統(tǒng)的有機(jī)高分子或硅膠類封裝材料，其相對(duì)于現(xiàn)有的透明陶瓷，具有較低且穩(wěn)定的色溫，優(yōu)異的發(fā)光效率，顯著提高的顯色指數(shù)，非常高的穩(wěn)定性和抗光衰性能，因而具有令人滿意的使用壽命。

汞銻混合礦協(xié)同提取汞銻的方法 1052     

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一種汞銻混合礦協(xié)同提取汞銻的方法，涉及汞的吸附。該汞銻混合礦協(xié)同提取汞銻的方法，經(jīng)一次浸出、一次固液分離后獲得汞銻富液，汞銻富液在經(jīng)過(guò)兩次電沉積后獲得汞銻合金，汞銻合金經(jīng)真空分離后獲得粗汞和粗銻，經(jīng)過(guò)粗汞精制后獲得精汞，粗銻精煉后獲得1號(hào)銻。該方法具有操作簡(jiǎn)單，全過(guò)程清潔環(huán)保，金屬汞和金屬銻的回收率高的特點(diǎn)，其中，金屬汞的綜合回收率大于99%，金屬銻的綜合回收率大于97%。

全玻璃真空集熱管 686     

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本實(shí)用新型涉及一種全玻璃真空集熱管,需要解決一般全玻璃真空集熱管吸收太陽(yáng)光面積的問(wèn)題,屬于全玻璃真空集熱管的實(shí)用新型。它將玻璃內(nèi)管外表面環(huán)圓周制造成凹凸峰谷形狀(3)從一端到另一端的條形(5),將兩管夾層抽成真空燒結(jié)而成。該實(shí)用新型具有增加吸收太陽(yáng)光面積、提高熱效率、制造簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。

氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法 951     

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本發(fā)明涉及一種氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步驟：1)改性溶液制備：將粒徑為20～20000nm的α?氮化硅粉末與分散劑加入至溶劑中攪拌均勻，得到α?氮化硅粉末含量為0.003～0.02g/mL的改性溶液；2)改性瓷片制備：將步驟1)中的改性溶液均勻涂覆在氮化硅瓷片上并在80～220℃條件下烘干。根據(jù)上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆銅陶瓷基板的活性釬焊，提高了氮化硅瓷片釬焊時(shí)反應(yīng)活性，進(jìn)行真空燒結(jié)時(shí)，能夠在瓷片與金屬焊片界面層形成更致密的結(jié)構(gòu)，能夠提高產(chǎn)品的剝離強(qiáng)度。此外，未反應(yīng)的α?氮化硅粉末能夠嵌入近瓷界面層中，降低界面層的熱膨脹系數(shù)，可提高瓷片與界面層在冷熱沖擊條件下的結(jié)合可靠性。