圓形封裝形式的固體繼電器 846     

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本實(shí)用新型公開了一種圓形封裝形式的固體繼電器，包括繼電器部分和罩殼，所述繼電器部分包括底座，底座上設(shè)置有厚輸出功率組件厚膜基板，輸出功率組件厚膜基板通過(guò)焊接柱與輸入功率組件PCB板連接，罩殼與繼電器部分的底座連接，輸出功率組件厚膜基板上設(shè)置的光伏二極管陣列中心距為3.5～5.5mm，輸入功率組件PCB板反面上設(shè)置的發(fā)光二極管中心距為3.5～5.5mm，輸出功率組件厚膜基板上設(shè)置的導(dǎo)體區(qū)域?qū)挾葹?.45～0.65mm。該圓形封裝形式的固體繼電器，具有體積小，接收光效率高、裝配合格率高、裝配效率高、負(fù)載電流大和功耗小的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了大電壓輸入，大電壓、大電流輸出的目標(biāo)。

從濕法煉鋅的銅鎘渣中回收鋅、銅、鎘的方法 1216     

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本發(fā)明屬于濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種從濕法煉鋅的銅鎘渣中回收鋅、銅、鎘的方法，通過(guò)氧壓浸出、中和除鐵、電解、真空蒸餾、分離、銅富渣處理、電解殘液處理共七個(gè)步驟來(lái)完成鋅、銅、鎘金屬的回收，整個(gè)工藝流程短、廢渣和廢水少，環(huán)境污染小、生產(chǎn)成本低。

凈化磷酸裝置的磷氟污水回收利用工藝 911     

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本發(fā)明公開了一種凈化磷酸裝置的磷氟污水回收利用工藝。該工藝是在換熱器中通入蒸汽將原料稀磷酸從45%提升到56%，蒸發(fā)器內(nèi)含磷、氟的混合蒸汽經(jīng)循環(huán)水吸收后回到循環(huán)水站的回水池中；來(lái)自后處理最終濃縮單元、脫氟單元的磷、氟混合蒸汽經(jīng)清潔循環(huán)水間接換熱冷卻得到的二次冷凝液經(jīng)泵輸送到預(yù)處理循環(huán)水站回水池中與來(lái)自預(yù)處理濃縮的磷、氟混合蒸汽冷凝液匯合形成了酸性循環(huán)水。酸性循環(huán)水站含高磷、氟的酸性水經(jīng)管線輸送到濕法磷酸裝置反應(yīng)工序閃蒸冷卻單元的熱水密封槽內(nèi)，之后用泵送到過(guò)濾機(jī)上作為磷石膏濾餅的洗滌水進(jìn)入稀磷酸中。本發(fā)明既解決了凈化磷酸裝置無(wú)法處理的磷、氟污水難題，又實(shí)現(xiàn)了“磷資源、氟資源”回收利用。

液體壓差式真空動(dòng)密封機(jī)構(gòu) 1187     

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本發(fā)明涉及真空動(dòng)密封技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種液體壓差式真空動(dòng)密封機(jī)構(gòu)，包括載液槽和密封罩，所述載液槽的內(nèi)部設(shè)有堵液塞，所述堵液塞位于密封流體的上部且位于密封罩的內(nèi)部，所述載液槽的內(nèi)壁且位于堵液塞的上方固定連接有限位環(huán)，所述限位環(huán)用于對(duì)堵液塞形成上行限位效果。本發(fā)明通過(guò)在載液槽的內(nèi)圈設(shè)堵液塞，并配合固定于載液槽內(nèi)壁的限位環(huán)，當(dāng)平衡真空腔內(nèi)氣壓變大時(shí)，液柱會(huì)頂升堵液塞，使得堵液塞緊壓于限位環(huán)的底部，可保障堵液塞與限位環(huán)的密封性能，防止密封流體排入密封罩內(nèi)。

小型真空感應(yīng)爐一爐多澆裝置及其使用方法 751     

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本發(fā)明公開了一種小型真空感應(yīng)爐一爐多澆裝置及其使用方法，包括爐體，坩堝，滑軌，滑動(dòng)座，支撐桿，緩流漏斗，電機(jī)A，轉(zhuǎn)盤，模具，滑軌與電機(jī)A分別設(shè)置在爐體底部，滑動(dòng)座與滑軌滑動(dòng)連接，支撐桿豎直設(shè)置在滑動(dòng)座上，支撐桿上設(shè)置有緩流漏斗，轉(zhuǎn)盤與電機(jī)A連接，模具設(shè)置在轉(zhuǎn)盤上。本發(fā)明適用于生產(chǎn)2195鋁合金、GH4169高溫合金等多種合金鑄件50公斤及以下的小型化鑄造，模具通過(guò)插桿與轉(zhuǎn)盤連接的方式，方便了將不同數(shù)量、種類的模具任意放置在轉(zhuǎn)盤上，滑動(dòng)座與滑軌的設(shè)置，也進(jìn)一步的適配不同高度、寬度的模具。

新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金及其制備方法 844     

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本發(fā)明公開了一種新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金，其中，新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金，其包括如下成分：TiC、Cr₃C₂、Mo₂C、Fe、C。本發(fā)明提供了一種新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金，制得的合金在結(jié)構(gòu)上較為緊密，具備良好的硬度。

低功耗超快恢復(fù)整流二極管的制造方法 720     

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本發(fā)明提供的一種低功耗超快恢復(fù)整流二極管的制造方法，采用高電導(dǎo)P型單晶硅片和N型單晶硅片經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散后高溫鍵合，再將形成PN結(jié)的硅片進(jìn)行減薄，可間接減薄二極管芯片厚度，有效地降低二極管器件的正向壓降，達(dá)到器件低功耗高頻率的目的。

高可靠合金型玻璃鈍化二極管及其制作工藝 955     

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本發(fā)明提供的一種高可靠合金型玻璃鈍化二極管及其制作工藝，包括管芯，管芯的兩面均通過(guò)蒸鋁層和鉬電極與銅引線連接，所述管芯、蒸鋁層、鉬電極、保護(hù)環(huán)封裝在玻璃外殼內(nèi)，所述管芯的邊緣制作有保護(hù)環(huán)。本發(fā)明在管芯邊緣形成高壓擴(kuò)散PN結(jié)環(huán)內(nèi)部嵌套低壓合金結(jié)的結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品加上反偏電壓時(shí)，首先在中間合金PN結(jié)處發(fā)生擊穿，這樣的結(jié)構(gòu)可以避免合金PN結(jié)邊緣的電場(chǎng)集中，降低了邊緣電場(chǎng)強(qiáng)度，可以有效降低產(chǎn)品在常溫及高溫時(shí)的反向漏電流，提升產(chǎn)品的合格率及可靠性。

高壓快恢復(fù)整流二極管的制作方法 796     

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本發(fā)明涉及二極管制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種高壓快恢復(fù)整流二極管的制作方法，通過(guò)選擇合理阻值的N型單晶硅片，設(shè)計(jì)、測(cè)試管芯的厚度與結(jié)深，以及采用硼酸與硝酸鋁合理配比的硼擴(kuò)散源，制備得到高壓快恢復(fù)整流二極管。此方法制備的高壓快恢復(fù)整流二極管，可以很好的兼容反向工作電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、正向壓降這三個(gè)電性參數(shù)，滿足反向工作電壓1500V以上、反向恢復(fù)時(shí)間100ns以下、正向壓降3V以下的工作要求。

提高片式固體電解質(zhì)電容器耐應(yīng)力的方法 1121     

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本發(fā)明屬電子元器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及提高片式固體電解質(zhì)電容器耐應(yīng)力的方法，包括陽(yáng)極設(shè)計(jì)和陰極被膜強(qiáng)化處理；所述陽(yáng)極設(shè)計(jì)是將陽(yáng)極鉭塊高度方向棱邊進(jìn)行倒角處理，直角棱邊變成圓弧狀；所述陰極被膜強(qiáng)化處理是將形成介質(zhì)層的陽(yáng)極鉭塊通過(guò)多次浸漬分解硝酸錳溶液和強(qiáng)化處理形成二氧化錳層。本發(fā)明提供的方法，能在鉭陽(yáng)極表面能形成厚度均勻、致密度高的二氧化錳層，消除鉭陽(yáng)極加工過(guò)程中出現(xiàn)的應(yīng)力集中和局域薄弱現(xiàn)象。本發(fā)明所制的鉭陽(yáng)極能提高片式固體電解質(zhì)鉭電容器耐熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力等應(yīng)力沖擊能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐應(yīng)力能力強(qiáng)、可靠性高的片式固體電解質(zhì)鉭電容產(chǎn)品，擴(kuò)大了電容器的應(yīng)用范圍。

高可靠抗輻照玻璃鈍化快恢復(fù)整流二極管制造方法 914     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化快恢復(fù)整流二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

鉭電容器固體電解質(zhì)及其制備方法、鉭電容器和用電器 795     

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本發(fā)明公開了鉭電容器固體電解質(zhì)及其制備方法、鉭電容器和用電器，涉及電容器的陰極電解質(zhì)制備技術(shù)領(lǐng)域。制備方法，包括：采用漿料包覆法在第一中間體的表面進(jìn)行至少一次漿料包覆，得到第二中間體，漿料包覆法為：在被包覆物表面包覆含有β?MnO₂粉末的硝酸錳漿料，然后干燥；將得到的第二中間體通過(guò)熱分解使其中所含的硝酸錳分解為二氧化錳得到第三中間體；第一中間體為表面覆蓋有介質(zhì)氧化層且微孔被二氧化錳填滿的多孔鉭燒結(jié)體；在第三中間體的表面再次包覆二氧化錳，以填滿第二中間體表面β?MnO₂微粒間的間隙。用電器，包括上述的鉭電容器。該方法可減小被覆過(guò)程中對(duì)介質(zhì)氧化膜的破壞，使電容器漏電穩(wěn)定性好。

含鈦的銅基粉末冶金摩擦材料及其制備方法 1072     

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本發(fā)明屬于粉末冶金摩擦材料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種含鈦的銅基粉末冶金摩擦材料及其制備方法，所述含鈦的銅基粉末冶金摩擦材料按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，由電解銅粉30~45份、還原鐵粉20~35份、鈦粉15~25份、二硫化鉬10~22份、二氧化硅8~15份、鱗片石墨粉6~14份、金屬碳化物5~8份和銅纖維3~5份組成。本發(fā)明采用銅粉、鐵粉和鈦粉為原料，科學(xué)地設(shè)計(jì)材料的各種成分組成及配比，經(jīng)過(guò)配料、球磨、干燥、制粒、成形、燒結(jié)等工藝成功制備了具有優(yōu)異力學(xué)性能的含鈦的銅基粉末冶金摩擦材料。同時(shí)，本發(fā)明根據(jù)實(shí)際工況需要，合理選擇金屬碳化物與其他原料進(jìn)行搭配，發(fā)揮了該陶瓷摩擦組元的優(yōu)勢(shì)，提高了材料的綜合摩擦磨損性能。

新型固體電解電容器及其制造方法 787     

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一種新型固體電解電容器及其制造方法,涉及一種電器元件、經(jīng)六個(gè)工藝步驟制造出一種具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,能夠很好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備高頻化的要求的固體電解電容器,其中關(guān)鍵步驟4為陰極電解質(zhì)層的制造方法,所述的陰極電解質(zhì)層具有導(dǎo)電性高分子復(fù)合層,該導(dǎo)電性高分子復(fù)合層是由無(wú)機(jī)二氧化錳電解質(zhì)層4B或化學(xué)聚合的導(dǎo)電性高分子層4B與電解聚合的導(dǎo)電性高分子聚合物4C層復(fù)合而成,并且采用底面電極引出的形式對(duì)電容器元件進(jìn)行封裝。

降低氧化鈮電容器等效串聯(lián)電阻的陰極制備工藝 1160     

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本發(fā)明公開了一種降低氧化鈮電容器等效串聯(lián)電阻的陰極制備工藝，該工藝步驟主要包括陽(yáng)極芯塊和介質(zhì)膜的加工、陰極半導(dǎo)體的加工、陰極過(guò)渡層的加工及陰極引出層的加工；該工藝將形成介電層的陽(yáng)極芯塊浸漬、脫水、熱分解低濃度和高濃度硝酸錳溶液，通過(guò)在陰極半導(dǎo)體層與陰極引出層間增加一層過(guò)渡層，消除了層間接觸電阻，使電容器的等效串聯(lián)電阻減小20％以上；該工藝由于在熱分解硝酸錳溶液之前采用了脫水工藝，提高了二氧化錳對(duì)陽(yáng)極芯塊內(nèi)部的填充率，而且取消了低濃度與高濃度硝酸錳的交替浸漬、熱分解，使工藝操作更簡(jiǎn)單、效率更高，適合于工業(yè)化大批量生產(chǎn)。

鈮電容器介質(zhì)膜強(qiáng)化方法 823     

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本發(fā)明一種鈮電容器介質(zhì)膜強(qiáng)化方法，屬電子元件制作技術(shù)領(lǐng)域，是將現(xiàn)有工藝電化學(xué)制造后有介質(zhì)膜的陽(yáng)極塊進(jìn)行強(qiáng)化處理，其處理方法是將陽(yáng)極塊在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的電解槽中，以與陽(yáng)極塊連接的電極為正極對(duì)陽(yáng)極塊實(shí)施電化學(xué)氧化。由于對(duì)第一次制備的介質(zhì)氧化膜采取了“干烘+形成”的工藝處理后，明顯降低了陽(yáng)極塊的漏電流值，介質(zhì)膜的晶粒更小，膜層更致密。

骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法 771     

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本發(fā)明涉及醫(yī)療機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，且公開了骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取鎂合金Mg?Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg?Ca粉末與NaHCO3混合攪拌，得到第一混合物。該骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法，本發(fā)明的骨缺損植入器械梯度多孔材料由首先采用鎂合金Mg?Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg?Ca粉末與NaHCO3混合制備的預(yù)制體，再對(duì)預(yù)制體進(jìn)行多次處于，分別進(jìn)行防腐蝕阻擋處理和構(gòu)建氧化鈦梯度層處理，最終制備獲得耐腐蝕、使用壽命長(zhǎng)、可有助于人體骨組織生產(chǎn)以及恢復(fù)的骨缺損植入器械梯度多孔材料，本發(fā)明的骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法不僅工藝簡(jiǎn)單、易操作，而且還綠色環(huán)保，不會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生污染和危害，可滿足企業(yè)的生產(chǎn)要求，適合推廣。

鈮電容器陰極制備方法 1001     

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本發(fā)明一種鈮電容器陰極制備方法，涉及一種電解電容器陰極電解質(zhì)的制備方法。本發(fā)明是將氧化鈮粉壓制成氧化鈮電容器陽(yáng)極芯塊，按傳統(tǒng)工藝經(jīng)燒結(jié)，陽(yáng)極形成，形成介電層后，將形成介電層的鈮陽(yáng)極芯塊經(jīng)浸漬低濃度硝酸錳溶液、高濃度硝酸錳溶液、乙酸水溶液中形成處理等7個(gè)步驟完成在含介電層的陽(yáng)極塊表面制備二氧化錳陰極層。由于本發(fā)明采用浸漬低濃度硝酸錳溶液與高濃度高硝酸錳溶液交替浸漬和熱分解方式，使分解得到的二氧化錳顆粒能夠滲透到陽(yáng)極塊的微孔中，并與陽(yáng)極塊緊密接觸，從而實(shí)現(xiàn)電容量的完全引出，降低了二氧化錳陰極層的接觸電阻，達(dá)到降低產(chǎn)品等效串聯(lián)電阻ESR的目的。

超大功率白光LED光源模組及封裝方法 1143     

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本發(fā)明公開了一種超大功率白光LED光源模組及封裝方法，屬于LED光源模組及封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括基板、藍(lán)光LED芯片組、獨(dú)立散熱支架、固態(tài)熒光片和絕緣導(dǎo)熱透明墊塊，所述藍(lán)光LED芯片組固定在基板上并實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述獨(dú)立散熱支架固定在基板上并對(duì)藍(lán)光LED芯片組形成圍壩，所述圍壩內(nèi)沿設(shè)有臺(tái)階；所述固態(tài)熒光片固定在所述臺(tái)階上，并位于藍(lán)光LED芯片組正上方；所述絕緣導(dǎo)熱透明墊塊安裝在固態(tài)熒光片與藍(lán)光LED芯片組之間；所述絕緣導(dǎo)熱透明墊塊通過(guò)共晶焊固定設(shè)于藍(lán)光LED芯片組的間隙之間；絕緣導(dǎo)熱透明墊塊高度高于藍(lán)光LED芯片組高度,其頂部與固態(tài)熒光片底部實(shí)現(xiàn)有效接觸；本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有熒光陶瓷片粘接封裝存在熱阻大，影響LED光源封裝可靠性的問題。

高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調(diào)整二極管制造方法 925     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調(diào)整二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法 856     

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本發(fā)明一種降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法，涉及電解電容器輔助陰極層制備技術(shù)，是將氧化鈮電容器陽(yáng)極芯塊按傳統(tǒng)工藝完成陰極電解質(zhì)二氧化錳層加工后得到的陰極電解質(zhì)的陽(yáng)極塊經(jīng)碳層制備和制備導(dǎo)電引出層后再按現(xiàn)工藝完成電容器的后面工序。由于本發(fā)明碳層的制備采用浸漬兩次石墨水液，并在兩次浸漬之間浸漬一次表面活化劑，完成碳層制備的陰極電解質(zhì)陽(yáng)極塊又經(jīng)導(dǎo)電漿料的處理，使碳層與陰極電解質(zhì)層、導(dǎo)電引出層間的結(jié)合更緊密，有效的抑制了鈮電容器在溫度升高時(shí)的電容量增加。

改善燒結(jié)鉭塊內(nèi)部孔隙度的方法 1070     

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本發(fā)明提供了一種改善燒結(jié)鉭塊內(nèi)部孔隙度的方法，包括以下步驟：稱量鉭粉?混粉?自動(dòng)成型?脫樟?燒結(jié)?測(cè)試孔隙度。本發(fā)明了有益效果在于：通過(guò)對(duì)比不同粘合劑對(duì)燒結(jié)后鉭塊孔隙度的影響，根據(jù)不同粘合劑脫除后留下的孔隙大小、形貌、比例的區(qū)別，選出最合適的粘合劑及最佳添加比例來(lái)改善鉭塊的孔隙度，有助于更為深入的了解陽(yáng)極鉭塊內(nèi)孔隙的基本結(jié)構(gòu)，此外，鉭塊內(nèi)部合適的孔隙度可以提高后續(xù)陰極二氧化錳的被覆率，從而使電容量得到更大程度引出，其操作簡(jiǎn)單，效率高，無(wú)需復(fù)雜設(shè)備，投入成本低，對(duì)完善被膜工藝及容量引出改善效果明顯。

具有高電導(dǎo)率的固體電解質(zhì)電容器的制備方法 1045     

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本發(fā)明公開了具有高電導(dǎo)率的固體電解質(zhì)電容器的制備方法，包含燒結(jié)、形成介質(zhì)氧化膜、制作表面為導(dǎo)電高分子π-共軛聚合物層的陽(yáng)極塊、涂敷石墨層和銀漿層、通過(guò)模壓封裝的步驟形成最終產(chǎn)品。本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)聚陰離子基團(tuán)的偶聯(lián)劑在乙醇溶液中通過(guò)有機(jī)磺酸的作用，在100～150℃下一方面導(dǎo)電聚合物單體發(fā)生聚合反應(yīng)形成透明及具有很高彈性的聚合物膜層，另一方面聚陰離子基團(tuán)有機(jī)磺酸的作用下形成交聯(lián)的骨架，從而生成具很高柔性的高分子導(dǎo)電復(fù)合物，在很大程度上緩解電解電容器制作過(guò)程中因模壓樹封時(shí)環(huán)氧樹脂熱收縮產(chǎn)生的熱應(yīng)力，大大降低了電容器的ESR，提高了電容器性能的穩(wěn)定性。

高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法 1026     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

采用鎢電極制造高可靠瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法 1125     

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本發(fā)明提供的一種采用鎢電極制造高可靠瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，采用了鎢電極作為電極引線制造玻璃鈍化瞬態(tài)電壓抑制二極管，大大提升了器件的瞬態(tài)峰值功率，相同封裝外形尺寸可以提升80％以上的瞬態(tài)峰值功率。

鉭電解電容器陽(yáng)極鉭塊燒結(jié)成型方法 962     

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一種鉭電解電容器陽(yáng)極鉭塊燒結(jié)成型方法，涉及電解電容器領(lǐng)域。所述成型方法是將納米級(jí)粒徑的鉭粉置于設(shè)定形狀和大小的容器內(nèi)，采取分段等靜壓成型工藝，按壓力從小到大、再?gòu)拇蟮叫〉捻樞蚍譃槿舾啥?，在設(shè)定的條件下通過(guò)液體對(duì)置于容器內(nèi)的預(yù)成型體施加各向均勻的壓力，進(jìn)行陽(yáng)極鉭塊等靜壓成型，再進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)成型。解決了現(xiàn)有鉭電解電容器陽(yáng)極鉭塊燒結(jié)成型后容易變形、絕緣可靠性差、坯體密度不均勻的問題，以獲得具有一定形狀、密度、內(nèi)部均勻的鉭粉成型素坯。燒結(jié)后的壓坯收縮形變量小，尺寸精度和表面光潔度均優(yōu)于傳統(tǒng)液壓機(jī)干壓成型工藝，為后續(xù)的裝配工藝和規(guī)?；可a(chǎn)帶來(lái)便捷，并有利于提升電容器的電參數(shù)、質(zhì)量一致性和可靠性。

高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法 1153     

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本發(fā)明提供的一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，芯片分離采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中采用酸腐蝕去除芯片臺(tái)面損傷層、腐蝕工藝去除粘附在芯片表面的重金屬離子、熱鈍化方式中和堿金屬離子并在芯片表面生長(zhǎng)一層二氧化硅鈍化保護(hù)層的工藝，最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的反向性能，提升產(chǎn)品的可靠性；采用主要成分為氧化鋅、三氧化二硼、二氧化硅的鈍化玻璃粉經(jīng)過(guò)高溫成型實(shí)現(xiàn)玻璃粉對(duì)芯片臺(tái)面的鈍化兼封裝作用，產(chǎn)品組件中的電極與芯片和玻璃鈍化層的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，提高了產(chǎn)品的抗溫度沖擊能力；產(chǎn)品采用專用焊料將電極片和軸向產(chǎn)品進(jìn)行燒結(jié)，實(shí)現(xiàn)了表貼封裝結(jié)構(gòu)。

微型玻璃鈍化封裝整流二極管 711     

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本發(fā)明公開了一種微型玻璃鈍化封裝整流二極管，包括管芯、電極、引線和玻璃封裝外殼。所述管芯為單晶硅制成的PN結(jié)，其P面和N面分別依次與電極和引線連接。所述管芯與電極通過(guò)金屬薄膜層熔焊鍵合在一起，所述電極和引線通過(guò)銅焊片熔融焊接在一起。將玻璃鈍化封裝的整流二極管的外部直徑做到1個(gè)毫米以下，實(shí)現(xiàn)了整流二極管的微型化；同時(shí)，玻璃鈍化封裝與塑料封裝相比，二極管的高溫反向漏電流更小、工作溫度范圍更寬、可靠性更高。

超低等效串聯(lián)電阻的固體電解電容器及其制造方法 878     

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本發(fā)明涉及一種以固體導(dǎo)電高分子聚合物為電解質(zhì),以鉭、鈮、鈦、鋁等閥金屬為陽(yáng)極的固體電解電容器及其制備方法,本發(fā)明對(duì)陽(yáng)極設(shè)計(jì)、賦能、化學(xué)氧化原位聚合、浸涂石墨銀漿以及制作底面引出電極等工藝進(jìn)行了充分的闡釋,采用本發(fā)明的技術(shù)方案,能夠使高分子聚合物層、石墨層、銀漿層之間緊密結(jié)合,制造的電解電容器具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,能夠很好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備頻化的要求。

用于氣凝膠復(fù)合中空玻璃的密封膠及其制備方法 741     

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本發(fā)明公開了一種用于氣凝膠復(fù)合中空玻璃的密封膠及其制備方法，密封膠由下列重量份的原料組成：聚二甲基硅烷18～20份、聚乙烯14～16份、3?羥基丁腈10～13份、聚二甲基硅氧烷9～12份、白炭黑8～10份、聚氨酯6～9份、丙烯酰胺6～9份、二甲基二甲氧基硅烷5～8份、甲基三氯硅烷3～6份、六甲基二硅氧烷2～5份、丙烯酸鈉4～7份、磷酸銨6～9份、乙醇胺5～8份、環(huán)庚三烯酚酮4～6份、聚硫3～5份、重鉻酸鈉2～3份、尿素3～6份、高錳酸鉀2～5份、二氟乙酸乙酯1～3份、五氯苯胺2～4份、引發(fā)劑1～3份、交聯(lián)劑3～5份和增塑劑2～4份。采用本發(fā)明所述方法制備的密封膠，其耐候性能好，還具防火性能，具有較好的應(yīng)用前景。