本發(fā)明提供的一種低功耗超快恢復(fù)整流二極管的制造方法,采用高電導(dǎo)P型單晶硅片和N型單晶硅片經(jīng)過硼擴(kuò)散后高溫鍵合,再將形成PN結(jié)的硅片進(jìn)行減薄,可間接減薄二極管
芯片厚度,有效地降低二極管器件的正向壓降,達(dá)到器件低功耗高頻率的目的。
聲明:
“低功耗超快恢復(fù)整流二極管的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)