本發(fā)明提供一種用于提純含有至少一種污染物的低純度冶金級硅并且得到較高純度固體
多晶硅的方法。所述方法包括:將低純度冶金級硅的熔體容納在模具中,所述模具具有絕熱的底壁和側(cè)壁,和敞口頂部;在電磁攪拌熔體的同時,通過從敞口頂部向底壁的單向凝固使熔體凝固;控制單向凝固的速率;在熔體已經(jīng)部分凝固時,停止單向凝固,以產(chǎn)生具有外殼和中心的錠料,所述外殼包括較高純度固體多晶硅,所述中心包括富集雜質(zhì)的液體硅;和在錠料的外殼中產(chǎn)生開口以使富集雜質(zhì)的液體硅流出,并且留下具有較高純度固體多晶硅的外殼。
聲明:
“用于從冶金級硅制備中等和高純度硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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