本發(fā)明公開了一種冶金級
多晶硅生產(chǎn)過程中通過摻磷實現(xiàn)吸雜目的的方法,主要技術(shù)方案為:將摻磷后的冶金級多晶硅置于赤磷熔點以下溫度300~590℃退火0.5~5小時,使磷在冶金級多晶硅中分布均勻,然后將冶金級多晶硅置于800~1000℃退火0.5~20小時。該方法利用磷在高溫半導(dǎo)體內(nèi)部的擴散,硅晶體中的硅-自間隙原子增多,為金屬雜質(zhì)從替代位置移動到間隙位置提供條件,從而加快金屬雜質(zhì)的擴散。最終,在退火過程中,使金屬雜質(zhì)從位錯、晶界等晶體缺陷處釋放,并擴散到冶金級多晶硅表面而被捕獲,最終到達吸雜的目的。本發(fā)明提供的一種冶金硅磷吸雜方法,摻磷吸雜效果較好、工藝較簡單、成本較低,適合于工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“冶金級多晶硅摻磷吸雜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)