本發(fā)明提供的高純鉭靶材制備方法,包括:將鉭粉混合均勻;將混合好的鉭粉裝入模具;冷壓成型;真空熱壓燒結。與傳統(tǒng)的通過高真空電子束熔煉爐獲得高純鉭錠、然后對鉭錠反復進行塑性變形和退火制得鉭靶坯的工藝相比,本發(fā)明通過
粉末冶金的真空熱壓燒結技術直接由粉末制得鉭靶坯,消除鉭的“固有織構帶”,獲得內(nèi)部織構均勻的可用于半導體靶材制造用的鉭靶坯。
聲明:
“高純鉭靶材制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)