本發(fā)明主要公開了一種太陽能級(jí)
多晶硅的制備方法,采用冶金級(jí)硅作為原料,經(jīng)破磨后得粒度為50目以上的硅粉物料,硅粉物料分別用濃度為1?6mol/l的鹽酸、濃度為0.5?6mol/l的硝酸和濃度為1?5mol/l的氫氟酸進(jìn)行酸浸處理,酸浸后加入真空爐內(nèi)進(jìn)行真空精煉處理,真空精煉分兩階段,第一階段為真空氧化精煉,控制爐內(nèi)溫度為1430?1500℃,真空度為90000?1000Pa,第二階段,即真空蒸餾精煉和真空脫氣階段,控制爐子真空度10?2?10?5Pa,溫度1430?1500℃,最后經(jīng)定向凝固及切頭處理,獲得太陽能級(jí)多晶硅產(chǎn)品。其硅的純度為99.9999%以上,比電阻超過0.4Ω.cm,以滿足
太陽能電池行業(yè)所需硅原料的要求。
聲明:
“太陽能多晶硅的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)