本發(fā)明涉及熱電材料領(lǐng)域的中溫用Ga2Te3基熱電半導(dǎo)體及制備方法。其設(shè)計要點在于該熱電材料的化學(xué)式為(Ga2Te3)(CdTe)x,其中x=0.1~0.4。其制備方法是將單質(zhì)元素Ga、Cd、Te置于真空石英管內(nèi),經(jīng)950~1150℃合成20~28小時后,將(Ga2Te3)(CdTe)x鑄錠隨爐冷卻至700~900℃后立即在水中淬火,淬火后的(Ga2Te3)(CdTe)x鑄錠經(jīng)粉碎、球磨,再經(jīng)放電等離子火花燒結(jié)(SPS)制成塊體,燒結(jié)溫度為350~550℃,燒結(jié)壓力40~60Mpa。燒結(jié)后的塊體材料在真空石英管內(nèi)退火2500~3000小時,退火溫度300~400℃。本發(fā)明采用常規(guī)的
粉末冶金法制備,工藝簡單,成本較低;材料具有環(huán)保特性,無噪音,適合作為一種綠色能源材料使用。
聲明:
“中溫用Ga2Te3基熱電半導(dǎo)體及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)