本發(fā)明涉及冶金級單晶硅
太陽能電池片制造中的鍍膜工藝,尤其是一種冶金級單晶硅太陽能電池雙層減反膜鍍膜工藝。其特點是,包括如下步驟:鍍膜機反應腔體內(nèi)抽真空;通入氨氣和
硅烷,時間15s~20s,控制氨氣流量6300sccm~6400sccm,硅烷流量1400sccm~1500sccm;第一次鍍膜;反應腔體抽真空,再通入氨氣和硅烷,時間為15s~20s,控制氨氣流量7100sccm~7200sccm,硅烷流量600sccm~700sccm;第二次鍍膜;將反應腔體抽真空,然后沖入N2直到常壓即可完成。經(jīng)過試用證明,本發(fā)明工藝結合了氮化硅薄膜各方面的優(yōu)勢,達到了優(yōu)勢最大化。
聲明:
“冶金級單晶硅太陽能電池雙層減反膜鍍膜工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)